[发明专利]一种MOCVD机台复机方法有效
| 申请号： | 202011486132.1 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112647061B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 马野 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/44 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 350108 福建省福州市闽侯县南屿镇生*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mocvd 机台 复机 方法 | ||
1.一种MOCVD机台复机方法，其特征在于，包括如下步骤，在MOCVD机台维护后，启动MOCVD机台，进行Mg涂布：P层Mg通量为3600-4000sccm；
在维护后的同一个使用周期的前若干炉的第一配方与后若干炉的第二配方进行如下调整：所述第一配方的欧姆接触层Mg通量相较于第二配方增加30％-40％；所述第一配方的TEGa通量相较于第二配方增加20％-30％。
2.根据权利要求1所述的MOCVD机台复机方法，其特征在于，还包括步骤，所述第一配方的应力释放层Si掺杂相较于第二配方减少15％-25％。
3.根据权利要求1所述的MOCVD机台复机方法，其特征在于，所述前若干炉为维护后一个使用周期的前10％炉数。
4.根据权利要求1所述的MOCVD机台复机方法，其特征在于，所述前若干炉为维护后的前3-5炉。
5.根据权利要求1所述的MOCVD机台复机方法，其特征在于，所述第一配方的欧姆接触层Mg通量为1600sccm，所述第二配方的欧姆接触层Mg通量为1300sccm。
6.根据权利要求1所述的MOCVD机台复机方法，其特征在于，所述第一配方的TEGa通量为500sccm，所述第二配方的TEGa通量为400sccm。
7.根据权利要求1所述的MOCVD机台复机方法，其特征在于，所述第一配方的Mg/Ga比为3.2比1。
8.根据权利要求1所述的MOCVD机台复机方法，其特征在于，所述第一配方的Mg/Ga比相较于所述第二配方的Mg/Ga比提升6％-10％。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
