[发明专利]一种MOCVD机台复机方法

说明书

一种MOCVD机台复机方法，包括如下步骤，在MOCVD机台维护后，启动MOCVD机台，进行Mg涂布：P层3600‑4000sccm；并在随后的量产过程中，对前若干炉的配方进行如下修改：欧姆接触层Mg通量增加30％‑40％；TEGa通量增加20％‑30％；Mg/Ga比提升6％‑10％。上述技术方案中，可以解决MOCVD机台在维护后前3‑5炉性能不稳定的问题，并在量产过程约提高机台5％的效益(产能指标)，且优化了复机时间提高了2％的稼动率，保守估计共约提高7％的外延片效益，对于Mg敏感度高的产品，提高的效益会更多。

技术领域

本发明涉及MOCVD制程，尤其涉及一种MOCVD过程中的维护复机时的工艺方法。

背景技术

发光二极管(LED)是由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体制成的，它的核心是PN结。N型层带有过量的电子，P型层带有过量的空穴，在正向偏压下，电子由N型层注入量子阱(MQW)，空穴由P型层注入量子阱(MQW)。电子和空穴在量子阱(MQW)内复合，复合过程中能量以光的形式释放出来，即电能转化为光能。其中，通常以Si掺杂形成n型材料，以Mg掺杂形成p型材料。掺杂可以在材料外延生长时同时完成原位掺杂，其中Si在GaN中是一种浅施主，能够形成有效的掺杂。而P型的杂质Mg的电离能比较大，且容易受到材料中残余杂质影响，难以获得较为高的空穴浓度。由于Mg的记忆效应，在每次机台维护后，Mg的电离难度更大，空穴浓度更低，维护的前几炉难以实现高的电子空穴复合率。因此，设计一种通过改善维护后的复机器方式提高空穴的浓度是很有必要的。

发明内容

为此，需要提供一种能够提高复机后空穴浓度进而提高生产效率的新的复机操作方法。

一种MOCVD机台复机方法，包括如下步骤，在MOCVD机台维护后，启动MOCVD机台，进行Mg涂布：P层Mg通量为3600-4000sccm；

并在随后的量产过程中，在维护后的同一个使用周期的前若干炉的第一配方与后若干炉的第二配方进行如下调整：所述第一配方的欧姆接触层Mg通量相较于第二配方增加30％-40％；所述第一配方的TEGa通量相较于第二配方增加20％-30％。

具体地，还包括步骤，所述第一配方的应力释放层Si掺杂相较于第二配方减少15％-25％。

进一步地，所述前若干炉为维护后一个使用周期的前10％炉数。

优选地，所述前若干炉为维护后的前3-5炉。

优选地，所述所述第一配方的欧姆接触层Mg通量为1600sccm，所述第二配方的欧姆接触层Mg通量为1300sccm。

优选地，所述第一配方的TEGa通量为500sccm，所述第二配方的TEGa通量为400sccm。

优选地，所述第一配方的Mg/Ga比为3.2比1。

优选地，所述第一配方的Mg/Ga比相较于所述第二配方的Mg/Ga比提升6％-10％

上述技术方案中，可以解决MOCVD机台在维护后前3-5炉性能不稳定的问题，并在量产过程约提高机台5％的效益(产能指标)，且优化了复机时间提高了2％的稼动率，保守估计共约提高7％的外延片效益，对于Mg敏感度高的产品，提高的效益会更多，同时此类重Mg Coating配方对于新机台的产量度有着较大的帮助。

附图说明

图1为具体实施方式所述的MOCVD机台复机方法流程图。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。