[发明专利]晶圆监控结构及监控方法

权利要求书

1.一种晶圆监控方法，用于晶圆监控结构，其特征在于，所述晶圆监控结构包括N个MOS管，其中N≥17，N为奇数；N个所述MOS管从左到右依次连接；N个所述MOS管的源极并联连接形成第一源极，N个所述MOS管的漏极并联连接形成第一漏极，N个所述MOS管的栅极并联连接形成第一栅极，位于第(N+1)/2位的所述MOS管的衬底单独引出形成第一衬底，其余所述MOS管的衬底并联形成第二衬底，所述晶圆监控方法包括以下步骤：

S10、测试所述晶圆监控结构位于第(N+1)/2位的所述MOS管的电特性；

S20、测试所述晶圆监控结构其余的所述MOS管的电特性；

S30、根据所述晶圆监控结构的测试结果判断所述晶圆是否合格。

2.根据权利要求1所述的晶圆监控方法，所述MOS管电特性的测试包括饱和电流测试和/或漏电电流测试。

3.根据权利要求2所述的晶圆监控方法，其特征在于，所述步骤S10包括：

连接所述第一源极、第一漏极、第一栅极、第一衬底与测试机，所述第二衬底浮空；

施加测试电压至所述晶圆监控结构位于第(N+1)/2位的所述MOS管；

测试位于第(N+1)/2位的所述MOS管的电特性。

4.根据权利要求3所述的晶圆监控方法，其特征在于，所述步骤S20包括：

连接所述第一源极、第一漏极、第一栅极、第二衬底与测试机，所述第一衬底浮空；

施加测试电压至所述晶圆监控结构的除第(N+1)/2位的所述MOS管；

测试除第(N+1)/2位的所述MOS管的电特性。

5.根据权利要求4所述的晶圆监控方法，其特征在于，所述S30步骤包括：

根据所述晶圆监控结构饱和电流的测试结果与所述晶圆监控结构的位置的相关性曲线分析所述晶圆的饱和电流均匀性；

判断所述饱和电流均匀性是否满足第一预设阈值，若满足则判定所述晶圆合格。

6.根据权利要求5所述的晶圆监控方法，其特征在于，所述S30步骤还包括：

判断所述晶圆监控结构的漏电电流的测试结果是否满足第二预设阈值，若满足则判定所述晶圆合格。

7.根据权利要求1所述的晶圆监控方法，其特征在于，所述MOS管为NMOS管或PMOS管。

8.根据权利要求1所述的晶圆监控方法，其特征在于，一个所述晶圆包括多个所述晶圆监控结构，多个所述晶圆监控结构设于所述晶圆上。

9.根据权利要求8所述的晶圆监控方法，所述晶圆监控结构数量为9个或13个。