[发明专利]一种多电压电源调制芯片

权利要求书

1.一种多电压电源调制芯片，其特征在于，包括：

第一TTL信号连接高压模块输入端和5V电压电源模块输入端；

第二TTL信号连接5V电压模块输入端；

第一栅压偏置信号连接负压模块输入端；

第二栅压偏置信号连接负压模块另一个输入端；

通过数字编程第一栅压偏置信号和第二栅压偏置信号输入负压模块，输出砷化镓放大器或氮化镓放大器驱动电压。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述高压模块包括：高压VDMOS栅极电源调制模块、高压调制与PD端延时控制模块和高压VDMOS漏极电压泄放模块；其中，第二TTL信号输入高压调制与PD端延时控制模块，其输出端连接高压VDMOS栅极电源调制模块和高压VDMOS漏极电压泄放模块；

高压VDMOS漏极电压泄放模块，其输出端PD端用于接VDMOS漏极，当高压调制使VDMOS关断时，该端口提供从VDMOS漏极到地的泄放通道，使积累在GaN功放的电荷迅速泄放掉。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述负压模块包括：

第一栅压控制模块、第二栅压控制模块、片内负压基准电源、第一AB类轨到轨运放和第二AB类轨到轨运放；其中，

所述第一栅压偏置信号输入所述第一栅压控制模块，所述第一栅压控制模块控制所述第一AB类轨到轨运放输出砷化镓放大器或氮化镓放大器驱动电压；

所述第二栅压偏置信号输入所述第二栅压控制模块，所述第二栅压控制模块控制所述第二AB类轨到轨运放输出砷化镓放大器或氮化镓放大器驱动电压；

所述片内负压基准电源模块一个输出端连接所述第一栅压控制模块，另一个输出端连接所述第二栅压控制模块。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述5V电压模块包括：5V驱放调制和低噪放调制；其中，

所述5V驱放调制输入端连接所述第二TTL信号；

所述低噪放调制输入端连接所述第一TTL信号。

5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括负压监测控制模块，与高压VDMOS栅极电源调制相连接，发生掉电故障时，高压调制输出恒高，后级VDMOS处于关断状态，功放不导通。

6.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述第一TTL信号为T/R组件的接收时序信号，当所述第一TTL信号为低电平时，低噪放正常工作，T/R组件处于接收状态；所述第二TTL信号为T/R组件的发射时序信号，当所述第二TTL信号为高电平时，驱放和GaN功放正常工作，T/R组件处于发射状态。

7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述芯片还包括过温检测模块，该芯片温度过高时输出相应的控制信号。