[发明专利]一种多电压电源调制芯片

说明书

本发明的实施例公开一种多电压电源调制芯片，包括：第一TTL信号连接高压模块输入端和5V电压电源模块输入端；第二TTL信号连接5V电压模块输入端；第一栅压偏置信号连接负压模块输入端；第二栅压偏置信号连接负压模块另一个输入端；通过数字编程第一栅压偏置信号和第二栅压偏置信号输入负压模块，输出砷化镓放大器或氮化镓放大器驱动电压。本发明模拟输出端口外的所有节点都置于芯片内部，既增加了集成度，又降低了环境信号的干扰。此外，本发明采用了使用数字编程来控制栅压偏置端口的方式，使得该端口既可以输出砷化镓偏置信号，又可以输出氮化镓偏置信号。

技术领域

本发明涉及雷达T/R组件电源调制领域。更具体地，涉及一种多电压电源调制芯片。

背景技术

当前的TR组件电源控制芯片通常采用片上模拟输出再经过运算放大器的方式输出栅压偏置信号。这种方式通常只能选择性地驱动砷化镓放大器或氮化镓放大器，而且存在由于片外引脚引入的自激风险。

发明内容

有鉴于此，本发明一个实施例提供一种多电压电源调制芯片，包括：

第一TTL信号连接高压模块输入端和5V电压电源模块输入端；

TTL信号为0到5V的数字信号；

高压模块的输入为TTL信号，输出为18到28V的高压信号；

电压电源模块的输入为TTL信号，输出为0到5V的电源信号；

第二TTL信号连接5V电压模块输入端；

电压电源模块的输入为TTL信号，输出为0到5V的电源信号；

第一栅压偏置信号连接负压模块输入端；

第二栅压偏置信号连接负压模块另一个输入端；

通过数字编程第一栅压偏置信号和第二栅压偏置信号输入负压模块，输出砷化镓放大器或氮化镓放大器驱动电压。

在一个具体实施例中，所述高压模块包括：高压VDMOS栅极电源调制模块、高压调制与PD端延时控制模块和高压VDMOS漏极电压泄放模块；其中，第二TTL信号输入高压调制与PD端延时控制模块，其输出端连接高压VDMOS栅极电源调制模块和高压VDMOS漏极电压泄放模块；

高压VDMOS漏极电压泄放模块，其输出端PD端用于接VDMOS漏极，当高压调制使VDMOS关断时，该端口提供从VDMOS漏极到地的泄放通道，使积累在GaN功放的电荷迅速泄放掉。

在一个具体实施例中，所述负压模块包括：

第一栅压控制模块、第二栅压控制模块、片内负压基准电源、第一AB类轨到轨运放和第二AB类轨到轨运放；其中，

所述第一栅压偏置信号输入所述第一栅压控制模块，所述第一栅压控制模块控制所述第一AB类轨到轨运放输出砷化镓放大器或氮化镓放大器驱动电压；

所述第二栅压偏置信号输入所述第二栅压控制模块，所述第二栅压控制模块控制所述第二AB类轨到轨运放输出砷化镓放大器或氮化镓放大器驱动电压；

所述片内负压基准电源模块一个输出端连接所述第一栅压控制模块，另一个输出端连接所述第二栅压控制模块。

在一个具体实施例中，所述5V电压模块包括：5V驱放调制和低噪放调制；其中，

所述5V驱放调制输入端连接所述第二TTL信号；

所述低噪放调制输入端连接所述第一TTL信号。

在一个具体实施例中，所述芯片还包括负压监测控制模块，与高压VDMOS栅极电源调制相连接，发生掉电故障时，高压调制输出恒高，后级VDMOS处于关断状态，功放不导通。