[发明专利]抛光液供给装置

说明书

本发明提供了一种抛光液供给装置，属于半导体技术领域。抛光液供给装置，包括：第一容器，用以盛放二氧化硅溶液；第二容器，用以盛放有机聚合物溶液；透光的第三容器，用以盛放有机聚合物溶液与二氧化硅溶液的混合液；所述第一容器的出液口、所述第二容器的出液口分别与所述第三容器的进液口连通，所述第一容器的出液口与所述第三容器的进液口之间设置有过滤器；所述第三容器的外壁设置有激光雷达传感器，用以检测所述第三容器的内壁是否存在颗粒物。本发明能够避免硅片表面被划伤。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是指一种抛光液供给装置。

背景技术

单晶硅作为半导体器件生产的基底材料，对其表面的平坦度，粗糙度，金属以及颗粒等方面有非常严格的要求，为了满足这些要求，需要通过化学机械抛光来实现。

在单晶硅片工艺流程中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是非常重要的一道工序，有时也称之为化学机械平坦化。所谓化学机械抛光，通常是将单晶硅片安装到晶片载体上，并与抛光垫的抛光层接触，抛光垫高速旋转，抛光介质(例如浆液)被分配到抛光垫上且吸入半导体晶片与抛光层之间的间隙中，半导体晶片在压力装置的压力作用与抛光垫相互摩擦，被研磨去除多余材料，并最终使半导体晶片的研磨面被抛光并获得平坦表面。

抛光设备在运行过程中需要不断通过抛光液对硅片进行研磨抛光，整个工艺过程中对抛光液需求量大且品质要求高，抛光液供给装置集中向抛光设备提供抛光液，减少人力运输的成本，但在抛光液供给过程中会有颗粒产生，导致硅片表面形成划伤。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种抛光液供给装置，能够避免硅片表面被划伤。

为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供一种抛光液供给装置，包括：

第一容器，用以盛放二氧化硅溶液；

第二容器，用以盛放有机聚合物溶液；

透光的第三容器，用以盛放有机聚合物溶液与二氧化硅溶液的混合液；

所述第一容器的出液口、所述第二容器的出液口分别与所述第三容器的进液口连通，所述第一容器的出液口与所述第三容器的进液口之间设置有过滤器；

所述第三容器的外壁设置有激光雷达传感器，用以检测所述第三容器的内壁是否存在颗粒物。

一些实施例中，所述装置还包括：

设置在所述第三容器的出液口的阀门；

控制机构，用于接收所述激光雷达传感器的信号，在所述激光雷达传感器检测所述第三容器的内壁存在颗粒物时，控制所述阀门关闭。

一些实施例中，所述装置还包括：

报警单元，用于在所述激光雷达传感器检测所述第三容器的内壁存在颗粒物时，进行报警。

一些实施例中，所述过滤器的过滤直径为0.1～5um。

一些实施例中，所述装置还包括：

喷洒单元，用于在所述第三容器盛放混合液之前，将有机聚合物溶液均匀喷洒在所述第三容器的内壁形成保护膜。

一些实施例中，所述激光雷达传感器包括至少一组激光器和检测传感器，每组的激光器和检测传感器分别设置在所述第三容器的同一侧，所述激光器用于向所述第三容器内发射激光，所述激光穿过所述第三容器被第三容器的内壁反射后被对应的检测传感器接收。

一些实施例中，所述激光雷达传感器包括多组激光器和检测传感器，所述多组激光器和检测传感器沿所述第三容器的第一方向排布。