[发明专利]半导体器件和对应的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

引线框架，包括一组导电引线；

半导体裸片，被电耦合到所述一组导电引线；以及

封装成型材料，在所述半导体裸片和所述引线框架的所述导电引线之上成型，其中所述导电引线的至少一部分未被所述封装成型材料覆盖；

导电焊盘，在所述导电引线的、未被所述封装成型材料覆盖的所述部分处；

其中所述导电焊盘包括第一放大的端部，所述第一放大的端部至少部分地在所述封装成型材料的后表面之上延伸；

其中所述第一放大的端部被配置用于耦合到印刷电路板。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述导电引线包括嵌入在所述封装成型材料中的主体部分，并且所述第一放大的端部在所述封装成型材料的所述后表面处从所述主体部分突出。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一放大的端部在所述主体部分的侧面的所述封装成型材料的所述后表面之上延伸达10μm至100μm的长度。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一放大的端部在所述主体部分的侧面的所述封装成型材料的所述后表面之上延伸达50μm至70μm的长度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述第一放大的端部上的电镀生长材料层。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一放大的端部包括铜。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一放大的端部包括从由镍、钯和金组成的群组中选择的至少一种金属。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一放大的端部的厚度在10μm至100μm的范围内。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一放大的端部的厚度在50μm至70μm的范围内。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括镀在所述第一放大的端部之上的金属层。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述金属层优选地包括锡。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述引线框架进一步包括热导体，所述半导体裸片被安装到所述热导体，其中所述热导体的至少一部分未被所述封装成型材料覆盖，并且所述半导体器件进一步包括导热焊盘，所述导热焊盘在所述热导体的、未被所述封装成型材料覆盖的所述部分处；其中所述导热焊盘包括第二放大的端部，所述第二放大的端部至少部分地在所述封装成型材料的所述后表面之上延伸；其中相应的所述放大的端部被配置用于耦合到所述印刷电路板。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，被配置为方形扁平无引线封装。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，被配置为平面网格阵列封装。

15.一种方法，包括：

提供引线框架，所述引线框架包括至少一个裸片焊盘和相应的至少一组导电引线；

将半导体裸片安装到所述至少一个裸片焊盘上；

将所述半导体裸片电耦合到所述相应的至少一组导电引线中的导电引线；

将封装成型材料成型到所述半导体裸片和所述引线框架上，所述封装成型材料在所述封装成型材料的后表面处暴露所述导电引线的至少一部分，以提供导电焊盘；以及

提供所述导电焊盘的放大的端部，所述放大的端部至少部分地在所述封装成型材料的所述后表面之上延伸，其中所述放大的端部被配置用于耦合到印刷电路板。