[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

形成在基板上的半导体；

形成在所述半导体上的栅极绝缘膜；

形成在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；

形成在所述基板上的第一绝缘膜；

第一导体部分，所述第一导体部分形成在所述第一绝缘膜上并且形成在所述半导体的一侧；和

第二导体部分，所述第二导体部分形成在所述第一绝缘膜上并且形成在所述半导体的另一侧，

其中在所述半导体与所述第一导体部分之间形成有所述第一绝缘膜的第一部分，并且在所述半导体与所述第二导体部分之间形成有所述第一绝缘膜的第二部分。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一绝缘膜的第一部分与所述半导体的一侧和所述第一导体部分的一侧直接接触，并且所述第一绝缘膜的第二部分与所述半导体的另一侧和所述第二导体部分的一侧直接接触。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体包括：

第一半导体层；和

形成在所述第一半导体层上的第二半导体层，

其中所述第一绝缘膜的第一部分形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层的每一个与所述第一导体部分之间，并且所述第一绝缘膜的第二部分形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层的每一个与所述第二导体部分之间。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述第一绝缘膜的第一部分与所述第一半导体层和所述第二半导体层的每一个的一侧以及所述第一导体部分的一侧直接接触，并且所述第一绝缘膜的第二部分与所述第一半导体层和所述第二半导体层的每一个的另一侧以及所述第二导体部分的一侧直接接触。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述第一半导体层由具有比所述第二半导体层的载流子浓度低的载流子浓度的材料形成，并且形成为比所述第二半导体层厚。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述半导体包括：

第一半导体层；

形成在所述第一半导体层上的第二半导体层；和

形成在所述第二半导体层上的第三半导体层，

其中所述第一绝缘膜的第一部分形成在所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层的每一个与所述第一导体部分之间，并且所述第一绝缘膜的第二部分形成在所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层的每一个与所述第二导体部分之间。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述第一绝缘膜的第一部分与所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层的每一个的一侧以及所述第一导体部分的一侧直接接触，并且所述第一绝缘膜的第二部分与所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层的每一个的另一侧以及所述第二导体部分的一侧直接接触。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中所述第一半导体层形成为比所述第二半导体层厚，并且所述第二半导体层形成为比所述第三半导体层厚。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一绝缘膜进一步形成在所述第一导体部分的上表面与所述栅极绝缘膜的下表面之间以及在所述第二导体部分的上表面与所述栅极绝缘膜的下表面之间。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述第一绝缘膜进一步形成为覆盖所述栅极绝缘膜的侧面和暴露的上表面以及所述栅极电极的侧面和上表面。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜形成在所述基板上以覆盖所述第一绝缘膜、所述第一导体部分和所述第二导体部分；

第一电极，所述第一电极形成在所述第二绝缘膜上并且通过形成在所述第二绝缘膜形中的第一接触孔与所述第一导体部分接触；和

第二电极，所述第二电极形成在所述第二绝缘膜上并且通过形成在所述第二绝缘膜形中的第二接触孔与所述第二导体部分接触。