[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备

说明书

公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和包括薄膜晶体管的显示设备，其中薄膜晶体管包括：形成在基板上的半导体；形成在半导体上的栅极绝缘膜；形成在栅极绝缘膜上的栅极电极；形成在基板上的第一绝缘膜；第一导体部分，其形成在第一绝缘膜上并且形成在半导体的一侧；和第二导体部分，其形成在第一绝缘膜上并且形成在半导体的另一侧，其中在半导体与第一导体部分之间可形成有第一绝缘膜的第一部分，并且在半导体与第二导体部分之间可形成有第一绝缘膜的第二部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求享有于2019年12月27日提交的韩国专利申请No.10-2019-0176126的权益，通过引用将该专利申请并入本文，如同在本文完全阐述一样。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示设备。

背景技术

晶体管广泛用作电子设备领域中的开关元件或驱动元件。特别是，由于可在玻璃基板或塑料基板上制造薄膜晶体管(TFT)，所以TFT广泛用作诸如液晶显示装置或有机发光装置之类的显示设备的开关元件。

根据构成有源层的材料的种类、电极(栅极电极、源极电极和漏极电极)的布置结构、形成沟道的方法等，可以以各种结构形成薄膜晶体管。

近来，广泛使用氧化物半导体TFT(下文中，称为氧化物TFT)，其具有比非晶硅TFT的迁移率更高的迁移率并且比多晶硅TFT更容易应用于大尺寸区域。

氧化物TFT结构的主要示例是共面结构(coplanar structure)，在共面结构中，沉积有在有源层上被图案化的栅极绝缘层和栅极电极，并且布置在覆盖沉积结构的层间介电层上的源极电极和漏极电极分别通过穿过层间介电层的接触孔与有源层的源极区域和漏极区域连接。

在共面结构的氧化物TFT中，有源层的中间区域被用作沟道区域，沟道区域的两侧区域被导电化并用作源极区域和漏极区域。由于导电化的源极区域和漏极区域的载流子浓度高于沟道区域的载流子浓度，所以产生从源极区域和漏极区域到沟道区域的氢扩散。

由于这种氢扩散，在源极区域与沟道区域之间以及漏极区域与沟道区域之间形成扩散区域(由于氢扩散而导致特性变化的区域)。扩散区域可导致劣化，并且考虑到TFT的制造工艺，难以调整扩散区域的宽度。由于这个原因，TFT的可靠性可劣化。

此外，如果沟道区域较短，则可改进TFT的开关性能。扩散区域加剧了劣化，因而成为制造较短沟道区域的限制。

上述背景技术的公开内容为本发明的发明人所拥有，以设计出本申请，或者上述背景技术的公开内容是设计本申请的过程中获得的技术信息，但不能认为是在提交本申请之前对公众公开的已知技术。

发明内容

鉴于上述问题进行了本发明，本发明的一个目的是提供一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示设备，其中薄膜晶体管被实现为防止在用作沟道的半导体与用作源极区域和漏极区域的第一导体部分和第二导体部分之间发生氢扩散。

本发明的另一个目的是提供一种薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法和包括薄膜晶体管的显示设备，其中通过防止在半导体与第一导体部分之间以及在半导体与第二导体部分之间产生扩散区域，薄膜晶体管能够实现短沟道。

除了上述本发明的目的以外，所属领域技术人员将从本发明的以下描述清楚理解到本发明的其他目的和特征。