[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一全绕式栅极场效晶体管，位于一基底之上，其中该第一全绕式栅极场效晶体管包括：多个第一纳米结构以及围绕多个所述第一纳米结构的一第一栅极堆叠；

一第一鳍式场效晶体管，相邻于该第一全绕式栅极场效晶体管，其中该第一鳍式场效晶体管包括：一第一鳍结构以及位于该第一鳍结构之上的一第二栅极堆叠；以及

一栅极切割部件，插入该第一全绕式栅极场效晶体管的该第一栅极堆叠与该第一鳍式场效晶体管的该第二栅极堆叠之间。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一鳍结构包括：一第一浮置鳍元件，且该第一鳍式场效晶体管的该第二栅极堆叠包括：一栅极介电层，覆盖该第一浮置鳍元件的上表面、侧壁以及底面。

3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括：

一第二鳍式场效晶体管，相邻于该第一鳍式场效晶体管，其中该第二鳍式场效晶体管包括：一第二鳍结构；以及

一隔离部件，插入该第一鳍式场效晶体管的该第一鳍结构与该第二鳍式场效晶体管的该第二鳍结构之间。

4.一种半导体结构，包括：

一第一全绕式栅极场效晶体管，位于一基底之上，其中该第一全绕式栅极场效晶体管包括：多个第一纳米结构以及环绕多个所述第一纳米结构的一第一栅极堆叠；

一第二全绕式栅极场效晶体管，位于该基底之上，其中该第二全绕式栅极场效晶体管包括：多个第二纳米结构以及环绕多个所述第二纳米结构的一第二栅极堆叠；

一隔离部件，插入该第一全绕式栅极场效晶体管的多个所述第一纳米结构与该第二全绕式栅极场效晶体管的多个所述第二纳米结构之间；

一第一鳍式场效晶体管，位于该基底之上，其中该第一鳍式场效晶体管包括：一第一鳍结构以及位于该第一鳍结构之上的一第三栅极堆叠；以及

一第一栅极切割部件，插入该第一全绕式栅极场效晶体管的该第一栅极堆叠与该第一鳍式场效晶体管的该第三栅极堆叠之间。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其中该第一全绕式栅极场效晶体管的该第一栅极堆叠包括：

一第一栅极介电层；以及

一第一栅极电极层，位于该第一栅极介电层之上，其中该第一栅极介电层和该第一栅极电极层直接接触该第一栅极切割部件。

6.如权利要求4所述的半导体结构，还包括：

一第二鳍式场效晶体管，位于该基底之上，其中该第二鳍式场效晶体管包括：一第二鳍结构以及位于该第二鳍结构之上的一第四栅极堆叠，其中该第四栅极堆叠包括：

一第四栅极介电层，其中该第四栅极介电层直接接触该隔离部件；以及

一第四栅极电极层，位于该第四栅极介电层之上，其中该第四栅极电极层与该隔离部件被该第四栅极介电层隔开。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该隔离部件包括：

一介电填充层；以及

一介电衬层，围绕该介电填充层且接触该第四栅极介电层。

8.一种半导体结构的形成方法，包括：

依序形成一第一半导体层和一第二半导体层于一基底之上；

蚀刻该第二半导体层，以形成一凹陷于该基底的一第一区中；

从该凹陷交替地堆叠多个第三半导体层与多个第四半导体层于该第一半导体层之上；

图案化多个所述第三半导体层、多个所述第四半导体层以及该第一半导体层，以形成一第一鳍结构于该基底的该第一区中，且图案化该第二半导体层和第一半导体层以形成一第二鳍结构于该基底的一第二区中；

从该第一鳍结构移除多个所述第四半导体层和该第一半导体层，以从该第一鳍结构的多个所述第三半导体层形成多个纳米结构，且从该第二鳍结构移除该第一半导体层，以从该第二鳍结构的该第二半导体层形成一浮置鳍元件；

形成一第一栅极堆叠横跨多个所述纳米结构和该浮置鳍元件；以及

在形成该第一栅极堆叠之后，形成一第一栅极切割部件穿过该第一栅极堆叠。