[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包含位于基底之上的第一全绕式栅极场效晶体管以及相邻于第一全绕式栅极场效晶体管的第一鳍式场效晶体管，第一全绕式栅极场效晶体管包含多个第一纳米结构以及围绕第一纳米结构的第一栅极堆叠。第一鳍式场效晶体管包含第一鳍结构以及位于第一鳍结构之上的第二栅极堆叠。半导体结构还包含栅极切割部件，栅极切割部件插入第一全绕式栅极场效晶体管的第一栅极堆叠与第一鳍式场效晶体管的第二栅极堆叠之间。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体结构，尤其涉及具有隔离部件的半导体结构及其形成方法。

背景技术

电子工业对越来越小且越快的电子装置的需求不断增长，这些电子装置同时能够支持更多越来越复杂且精密的功能。因此，制造低成本、高性能和低功率集成电路(integrated circuit，IC)是半导体工业持续的趋势。迄今为止，通过缩小半导体集成电路的尺寸(例如，最小特征尺寸)，并由此提高生产效率且降低相关成本，在很大程度上已实现了这些目标。然而，这种小型化亦使半导体制造工艺更趋复杂。因此，实现半导体集成电路和装置的持续发展要求在半导体制造工艺和技术上有相似的发展。

最近导入多栅极(multi-gate)装置，以致力于通过增加栅极-通道耦合(gate-channel coupling)来改善栅极控制，减少截止(OFF)状态电流，并且减少短通道效应(short-channel effect，SCE)。已导入的一种多栅极装置是全绕式栅极(gate-all-around，GAA)晶体管。全绕式栅极装置名称缘由是它的栅极结构可以环绕通道区延伸，从而自两侧或四侧开启通道。全绕式栅极装置能与传统的互补式金属-氧化物-半导体(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)工艺兼容，并且这种结构允许它们在保持栅极控制和减轻短通道效应的同时大幅缩小尺寸。在传统工艺中，全绕式栅极装置在硅纳米线(nanowire)中提供通道。然而，围绕纳米线的全绕式栅极部件的制造整合可能具有挑战性。举例而言，尽管目前的方法在许多方面都令人满意，但是仍然需要持续的进行改进。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，以解决上述至少一个问题。

本发明实施例提供半导体结构，半导体结构包含位于基底之上的第一全绕式栅极场效晶体管以及相邻于第一全绕式栅极场效晶体管的第一鳍式场效晶体管，第一全绕式栅极场效晶体管包含多个第一纳米结构以及围绕第一纳米结构的第一栅极堆叠。第一鳍式场效晶体管包含第一鳍结构以及位于第一鳍结构之上的第二栅极堆叠。半导体结构还包含栅极切割部件，栅极切割部件插入第一全绕式栅极场效晶体管的第一栅极堆叠与第一鳍式场效晶体管的第二栅极堆叠之间。

本发明实施例提供半导体结构，半导体结构包含位于基底之上的第一全绕式栅极场效晶体管、第二全绕式栅极场效晶体管、第一鳍式场效晶体管。第一全绕式栅极场效晶体管包含多个第一纳米结构以及环绕第一纳米结构的第一栅极堆叠。第二全绕式栅极场效晶体管包含多个第二纳米结构以及环绕第二纳米结构的第二栅极堆叠。第一鳍式场效晶体管包含第一鳍结构以及位于第一鳍结构之上的第三栅极堆叠。半导体结构还包含隔离部件，其插入第一全绕式栅极场效晶体管的第一纳米结构与第二全绕式栅极场效晶体管的第二纳米结构之间。半导体结构还包含隔离部件第一栅极切割部件，其插入第一全绕式栅极场效晶体管的第一栅极堆叠与第一鳍式场效晶体管的第三栅极堆叠之间。