[发明专利]YAG晶片的抛光方法

权利要求书

1.一种YAG晶片的抛光方法，其特征在于：所述YAG晶片的抛光方法包括如下步骤：

S1：提供YAG晶片，设定一面为A面，另一面为B面，提供平面研磨抛光机，所述平面研磨抛光机包括抛光盘和载物盘，在抛光盘上均匀粘贴聚氨酯抛光垫，将B面粘贴在载物盘上，施加压力，使得A面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；

S2：取下YAG晶片，将A面粘贴在载物盘上，施加压力，使得B面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第一抛光液；步骤S1和步骤S2中的第一抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含磨粒和添加剂，所述磨粒为粒径大小为120～200nm的碱性胶体二氧化硅，含量为15wt％；添加剂包括阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的一种，含量为0.3～0.5wt％；第一抛光液通过乙二胺、多胺弱碱、二羟基乙烯乙二胺中一种或多种调pH值至7.5；

S3：在抛光盘上均匀粘无纺布抛光垫，将B面粘贴在载物盘上，施加压力，使得A面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；

S4：取下YAG晶片，将A面粘贴在载物盘上，施加压力，使得B面与抛光盘接触，控制所述抛光盘和所述载物盘旋转，并使得旋转方向相反以对YAG晶片进行抛光，抛光时滴加第二抛光液；步骤S3和步骤S4中的第二抛光液中溶剂为去离子水，溶质包含混合磨粒、氧化剂、添加剂，其中混合磨粒包括粒径大小为60～80nm的金刚石磨粒，含量为5wt％，以及粒径大小为30～50nm的二氧化硅磨粒，含量为10wt％；氧化剂为双氧水、高铁酸钾、过硫酸钾中的一种或两种的混合，含量为2wt％；添加剂包括络合剂壳寡糖，含量为0.3wt％，以及阳离子表面活性剂FAOA，含量为4～6ml/L；第二抛光液通过柠檬酸、酒石酸中一种或多种调pH值至6；

S5：将YAG晶片进行超声清洗，清洗液为去离子水。

2.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中抛光压力为0.15～0.3MPa。

3.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中所述抛光盘和所述载物盘的转速为60～80r/min。

4.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中抛光液流量为6ml～9ml/min。

5.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S1和步骤S2中抛光时间为45～60min。

6.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S3和步骤S4中抛光压力为0.05～0.08MPa。

7.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S3和步骤S4中所述抛光盘和所述载物盘的转速为100～120r/min。

8.根据权利要求1所述的YAG晶片的抛光方法，其特征在于：步骤S3和步骤S4中抛光时间为30min。