[发明专利]控制电路、脉冲电源系统和半导体加工设备在审
申请号: | 202011494405.7 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN113013007A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 韦刚 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01J37/248 | 分类号: | H01J37/248;H01J37/317 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制电路 脉冲 电源 系统 半导体 加工 设备 | ||
本发明实施例提供的控制电路、脉冲电源系统和半导体加工设备,该控制电路包括开关电路,其第一端和第二端作为直流信号的输入端,第三端和第四端作为脉冲信号的输出端,第一控制端和第二控制端用于接收第一信号和第二信号以控制脉冲信号的输出,在第一控制端和第二控制端接收第一信号时,第三端和第四端输出脉冲信号;在第一控制端和第二控制端接收第二信号时,第三端和第四端停止输出脉冲信号;还包括储能模块,其两端分别与开关电路的第一端和第二端连接,用于在开关电路不输出脉冲信号时,存储开关电路中的剩余电能。本发明实施例提供的控制电路,减小电压在每个脉冲结束时产生的震荡,提高对半导体工艺中等离子的能量和密度的控制精度。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体地,涉及一种控制电路、脉冲电源系统和半导体加工设备。
背景技术
随着电子技术的高速发展,人们对集成电路的集成度要求越来越高,这就需要不断提高半导体晶片的加工精度。等离子体装置被广泛地应用于制造集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中。因此,适用于刻蚀、沉积或离子注入等工艺的等离子体发生设备的研发对于半导体制造工艺和设施的发展来说是至关重要的。
目前,对于半导体工艺而言,等离子的能量和密度的控制尤为重要。现有的等离子的能量和密度的控制方式主要通过控制加载至负载的电压来实现,但是,由于在电路中通常存在电感元件,在电压关闭后,这些电感元件中的剩余电能会在包含有负载的回路中继续循环,从而导致电压关闭后存在震荡,难以实现对等离子的能量和密度的精确控制。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种控制电路、脉冲电源系统和半导体加工设备,其可以存储电路中的剩余电能,从而减小电压在每个脉冲结束时产生的震荡,进而提高对半导体工艺中等离子的能量和密度的控制精度。
为实现上述目的,本发明实施例提供了一种控制电路,用于将直流信号以脉冲信号方式输出,所述控制电路包括储能模块和开关电路,其中,
所述开关电路具有第一端、第二端、第三端、第四端以及第一控制端和第二控制端,其中所述第一端和所述第二端作为直流信号的输入端,所述第三端和所述第四端作为所述脉冲信号的输出端,所述第一控制端和所述第二控制端用于接收第一信号和第二信号以控制所述脉冲信号的输出,在所述第一控制端和第二控制端接收所述第一信号时,所述第三端和第四端输出所述脉冲信号;在所述第一控制端和第二控制端接收所述第二信号时,所述第三端和第四端停止输出所述脉冲信号;
所述储能模块的两端分别与所述开关电路的第一端和第二端连接,用于在所述开关电路不输出所述脉冲信号时,存储所述开关电路中的剩余电能。
可选的,所述开关电路包括第一开关单元和第二开关单元;其中,
所述第一开关单元的第一端和第二端与所述第二开关单元的第一端和第二端用于作为所述直流信号的输入端,且所述第一开关单元的第一端分别与所述储能模块的第一端和所述第二开关单元的第一端连接,所述第一开关单元的第二端分别与所述储能模块的第二端和所述第二开关单元的第二端连接;所述第一开关单元的控制端和所述第二开关单元的控制端用于接收所述第一信号或所述第二信号;所述第一开关单元的第三端和所述第二开关单元的第三端用于输出所述脉冲信号;
所述第一开关单元用于在所述第一开关单元的控制端接收所述第一信号时,接通所述第一开关单元的第一端与所述第一开关单元的第三端之间的电路,断开所述储能模块的第二端和所述第一开关单元的第三端之间的电路;在所述第一开关单元的控制端接收所述第二信号时,断开所述第一开关单元的第一端和所述第一开关单元的第三端之间的电路,接通所述储能模块的第二端和所述第一开关单元的第三端之间的电路;
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