[发明专利]应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路在审
申请号: | 202011495280.X | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN112671407A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 段吉海;周继东;韦保林;徐卫林;韦雪明;岳宏卫 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12;H03M1/06;H03M1/10;H03K17/16;H03K17/687 |
代理公司: | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人: | 陈跃琳 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 功耗 转换器 开关电路 | ||
1.应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路,其特征是,由输入反相器、第一级自举电路、辅助级自举电路、衬底开关和采样电路组成;输入反相器包括MOS管M1和MOS管M2;第一级自举电路包括MOS管M3a、MOS管M3b、MOS管M3c、MOS管M3d和电容C1;辅助级自举电路包括MOS管M4a、MOS管M4b、MOS管M4c、MOS管M4d、MOS管M5和电容C2;衬底开关包括MOS管M6和MOS管M7;采样电路包括采样MOS管MS;
MOS管M1的源极、MOS管M3a的源极和MOS管M4a的源极连接工作电压VDD;MOS管M2的源极、MOS管M3c的源极、MOS管M4c的源极、MOS管M4d的源极、MOS管M7的源极接地;MOS管M1的栅极与MOS管M2的栅极同时连接单相时钟SP;电容C1的上极板连接MOS管M3a的漏极和MOS管M3b的源极;电容C1下极板连接MOS管M3c漏极和MOS管M3d的源极;MOS管M3a的栅极、MOS管M3b的漏极和MOS管M3d的栅极连接;MOS管M3b的栅极、MOS管M3d的漏极和MOS管M3c的栅极连接MOS管M2的漏极;电容C2的上极板连接MOS管M4a的漏极和MOS管M4b的源极;电容C2的下极板和MOS管M4c的漏极连接MOS管M3d的栅极;MOS管M4a的栅极、MOS管M4b的漏极、MOS管M4d的漏极和MOS管M5的栅极连接;MOS管M4b的栅极连接MOS管M3b的栅极;MOS管M4c的栅极和MOS管M4d的栅极连接MOS管M3c的栅极;MOS管M5的源极连接MOS管M3d的源极;MOS管M5的漏极连接MOS管M6的漏极;MOS管M6的栅极连接MOS管M4b的漏极;MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极;MOS管M7的栅极连接MOS管M4d的栅极;采样MOS管MS的栅极连接MOS管M5的栅极,采样MOS管MS的源极和MOS管M6的漏极连接输入信号Vin,采样MOS管MS的漏极连接输出信号Vout,采样MOS管MS衬底连接到MOS管M7的漏极。
2.根据权利要求1所述的应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路,其特征是,采样电路还进一步包括采样电容CS;采样电容CS的上极板连接采样MOS管MS的漏极;采样电容CS的下极板接地。
3.根据权利要求1所述的应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路,其特征是,MOS管M1、MOS管M3a、MOS管M3b、MOS管M4a和MOS管M4b为PMOS管;MOS管M2、MOS管M3c、MOS管M3d、MOS管M4c、MOS管M4d、MOS管M5、MOS管M6和MOS管M7和采样MOS管MS为NMOS管。
4.根据权利要求1所述的应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路,其特征是,MOS管M3a的衬底与MOS管M3a的漏极相接;MOS管M4a的衬底与MOS管M4a的漏极相接;MOS管M3b的衬底与MOS管M3b的源极相接。
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