[发明专利]应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路

权利要求书

1.应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，其特征是，由输入反相器、第一级自举电路、辅助级自举电路、衬底开关和采样电路组成；输入反相器包括MOS管M1和MOS管M2；第一级自举电路包括MOS管M3a、MOS管M3b、MOS管M3c、MOS管M3d和电容C1；辅助级自举电路包括MOS管M4a、MOS管M4b、MOS管M4c、MOS管M4d、MOS管M5和电容C2；衬底开关包括MOS管M6和MOS管M7；采样电路包括采样MOS管MS；

MOS管M1的源极、MOS管M3a的源极和MOS管M4a的源极连接工作电压VDD；MOS管M2的源极、MOS管M3c的源极、MOS管M4c的源极、MOS管M4d的源极、MOS管M7的源极接地；MOS管M1的栅极与MOS管M2的栅极同时连接单相时钟SP；电容C1的上极板连接MOS管M3a的漏极和MOS管M3b的源极；电容C1下极板连接MOS管M3c漏极和MOS管M3d的源极；MOS管M3a的栅极、MOS管M3b的漏极和MOS管M3d的栅极连接；MOS管M3b的栅极、MOS管M3d的漏极和MOS管M3c的栅极连接MOS管M2的漏极；电容C2的上极板连接MOS管M4a的漏极和MOS管M4b的源极；电容C2的下极板和MOS管M4c的漏极连接MOS管M3d的栅极；MOS管M4a的栅极、MOS管M4b的漏极、MOS管M4d的漏极和MOS管M5的栅极连接；MOS管M4b的栅极连接MOS管M3b的栅极；MOS管M4c的栅极和MOS管M4d的栅极连接MOS管M3c的栅极；MOS管M5的源极连接MOS管M3d的源极；MOS管M5的漏极连接MOS管M6的漏极；MOS管M6的栅极连接MOS管M4b的漏极；MOS管M6的源极连接MOS管M7的漏极；MOS管M7的栅极连接MOS管M4d的栅极；采样MOS管MS的栅极连接MOS管M5的栅极，采样MOS管MS的源极和MOS管M6的漏极连接输入信号Vin，采样MOS管MS的漏极连接输出信号Vout，采样MOS管MS衬底连接到MOS管M7的漏极。

2.根据权利要求1所述的应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，其特征是，采样电路还进一步包括采样电容CS；采样电容CS的上极板连接采样MOS管MS的漏极；采样电容CS的下极板接地。

3.根据权利要求1所述的应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，其特征是，MOS管M1、MOS管M3a、MOS管M3b、MOS管M4a和MOS管M4b为PMOS管；MOS管M2、MOS管M3c、MOS管M3d、MOS管M4c、MOS管M4d、MOS管M5、MOS管M6和MOS管M7和采样MOS管MS为NMOS管。

4.根据权利要求1所述的应用于超低功耗模数转换器的栅压自举开关电路，其特征是，MOS管M3a的衬底与MOS管M3a的漏极相接；MOS管M4a的衬底与MOS管M4a的漏极相接；MOS管M3b的衬底与MOS管M3b的源极相接。