[发明专利]进行后处理的系统和方法在审
申请号: | 202011498732.X | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN113013056A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 丁锺才;申允锡 | 申请(专利权)人: | 洛克系统私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王艳江;王蓓蓓 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 进行 处理 系统 方法 | ||
一种用于从集成电路单元(IC单元)上去除毛边的去毛边系统,该系统包括:具有多个凹穴的剪切板;每个凹穴成形为接纳所述IC单元中的一个IC单元;其中,每个凹穴包括大小设置为从所述IC单元的相反两侧剪切毛边的至少一个维度。
技术领域
本发明涉及:为了在紧凑的设备中使用集成电路而将电磁干扰(EMI)屏蔽施加至所述集成电路(IC),以减轻电磁干扰。
背景技术
将EMI屏蔽施加至集成电路以减轻紧密封装的部件之间的干扰会带来各种处理困难。
例如,在施加EMI屏蔽期间,将IC放置在具有粘合膜的基底模板上要求IC的粘接强度是高的。然而,要利用诸如杆施加力来移除所述IC以将所述IC推离膜会是困难的。保持一致取向的粘合强度与仍然能够将IC移除之间的折衷是对品质的折衷,这影响了IC的放置精度。
此外,一旦移除,施加到IC上的残留的屏蔽材料将不可避免地扩展到围绕集成电路单元(IC单元)的外周区域。在IC单元刚移除时,残留材料可能不会干净地脱离,从而使屏蔽材料毛边附着在IC单元上。接着在IC单元上的任何非预期的导电材料都会对IC单元的运行效率和效用造成危害,因此,在使用IC单元之前,必须防止或去除毛边。
发明内容
在第一方面,本发明提供了一种去毛边系统,该系统用于从IC单元去除毛边,该系统包括:具有多个凹穴的剪切板;每个凹穴成形为接纳所述IC单元中的一个IC单元;其中,每个凹穴包括大小设置为从所述IC单元的相反两侧剪切毛边的至少一个维度。
在第二方面,本发明提供了一种用于从IC单元去除毛边的方法,该方法包括以下步骤:将IC单元插入剪切板内的凹穴中,所述凹穴成形为接纳所述IC单元中的一个IC单元,并且所述凹穴的至少一个维度的大小被设置为从所述IC单元的相反两侧剪切毛边,以及;从IC单元的每一侧剪切所述毛边。
在第三方面,本发明提供了一种用于从粘合膜移除IC单元的方法,该方法包括以下步骤:在预定时间内以预定温度对所述膜的底侧施加热;减少所述粘合剂的粘合强度,从而减小移除所述IC单元所需的力,以及;移除所述IC单元。
在第一方面,与施加机械力结合地施加消散环境来降低膜的粘合强度有利于IC单元的移除;在一个实施方式中,诸如加热室之类的环境条件的改变可以提供使粘合力在受控的条件下被减小的环境条件。作为替代性实施方式,在预定时间长度内施加热气流可足以降低粘合强度。
在第二实施方式中,供IC单元插入的剪切板将在不损坏IC单元的情况下剪除毛边。该剪切板在程序上可被放置在基底模板和IC单元的下游卸载中间,以提供处理过程中的有限延迟,同时解决对所述IC单元的后续使用而言的重大问题。
附图说明
结合图示出本发明可能的布置的附图将方便进一步描述本发明。本发明的其他布置也是可能的,因此,附图的特殊性不应被理解为替代了本发明的前述描述的普遍性。
图1是根据本发明的一个实施方式的IC移除系统的示意图;
图2是根据本发明的另一实施方式的与IC单元接合的精密拾取器的正视图;
图3是根据本发明的一个实施方式的去毛边过程的正视图;
图4A和图4B是根据图3的实施方式的去毛边过程的正视顺序图;
图5是根据本发明的一个实施方式的剪切板的正视图;
图6是根据本发明的一个实施方式的抛光单元的正视图;
图7是根据本发明的一个实施方式的检查站的正视图;以及
图8A和图8B是根据本发明的另外的实施方式的替代性凹穴形状的平面图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洛克系统私人有限公司,未经洛克系统私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011498732.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:被覆切削工具
- 下一篇:用于制造机动车的动力电池的方法以及相应的制造装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造