[发明专利]芯片过电流及过温保护方法有效
| 申请号： | 202011498871.2 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN114447875B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 刘俊欣 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/02 | 分类号： | H02H3/02;H02H3/087;H02H3/093;H02H5/04;H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 薛平;周晓飞 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 电流 保护 方法 | ||
1.一种芯片过电流及过温保护方法，其特征在于，由控制模块控制芯片的电流供应，所述芯片过电流及过温保护方法包含：
藉由电流检测模块检测所述芯片的通过电流；
藉由温度感测模块感测所述芯片的操作温度；
当所述通过电流达到电流门槛值时，所述控制模块维持所述通过电流于所述电流门槛值；
当维持所述电流门槛值持续达到电流维持时间，所述控制模块停止所述芯片的电流供应；以及
当所述操作温度恢复至重启门槛值时，所述控制模块持续停止电流供应关闭延迟时间后，重新启动所述芯片的电流供应。
2.如权利要求1所述的芯片过电流及过温保护方法，其特征在于，所述电流维持时间包含当所述操作温度达到温度门槛值，所述控制模块停止所述芯片的电流供应。
3.如权利要求2所述的芯片过电流及过温保护方法，其特征在于，所述温度门槛值为150℃，所述重启门槛值为110℃。
4.如权利要求1所述的芯片过电流及过温保护方法，其特征在于，所述关闭延迟时间包含当所述操作温度降低至重启温度值，所述控制模块重新启动所述芯片的电流供应。
5.如权利要求1所述的芯片过电流及过温保护方法，其特征在于，进一步包含：
当重新启动所述芯片的电流供应时，若所述通过电流仍为所述电流门槛值，所述控制模块维持所述通过电流于所述电流门槛值；
当维持所述电流门槛值持续达到所述电流维持时间，所述控制模块停止所述芯片的电流供应；以及
当所述操作温度恢复至所述重启门槛值时，所述控制模块持续停止电流供应所述关闭延迟时间后，重新启动所述芯片的电流供应。
6.如权利要求1所述的芯片过电流及过温保护方法，其特征在于，进一步包含：
当重新启动所述芯片的电流供应时，若所述通过电流低于所述电流门槛值，所述电流检测模块持续检测所述通过电流是否达到所述电流门槛值。
7.如权利要求1所述的芯片过电流及过温保护方法，其特征在于，所述关闭延迟时间为所述电流维持时间的2倍。
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