[发明专利]芯片过电流及过温保护方法有效
申请号: | 202011498871.2 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN114447875B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 刘俊欣 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | H02H3/02 | 分类号: | H02H3/02;H02H3/087;H02H3/093;H02H5/04;H02H9/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 薛平;周晓飞 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 电流 保护 方法 | ||
本发明提供了一种芯片过电流及过温保护方法,由控制模块控制芯片的电流供应,保护方法包含藉由电流检测模块检测芯片的通过电流,藉由温度感测模块感测芯片的操作温度。当通过电流达到电流门槛值时,控制模块维持通过电流于电流门槛值。当维持电流门槛值持续达到电流维持时间,控制模块停止芯片的电流供应。当操作温度恢复至重启门槛值时,控制模块持续停止电流供应关闭延迟时间后,重新启动芯片的电流供应。
技术领域
本发明是关于一种芯片过电流及过温保护方法,特别是关于一种无需调整过电流门槛值及过温门槛值即可降低功耗及平均温度的芯片过电流及过温保护方法。
背景技术
在电脑系统或各种电子装置内部,已设有各种控制芯片、驱动芯片来实现各种控制电路、驱动电路的运作。现今的芯片体积朝向微型化发展,操作的频率、效能也大幅提升,芯片当中的电路设计或是制作过程中稍有异常,就可能影响芯片的功能,造成芯片内部异常的电流驱动及操作,芯片内的温度也可能相应的大幅提升。
现有的芯片会设置过电流保护或过温保护的机制,在内部电流达到临界值时,控制电流以避免电流量持续升高,直到异常排除而恢复到正常工作电流。过温保护则是在温度达到临界值时,关闭电路或启动降温装置来避免芯片温度持续上升。但在这些保护机制下,过电流及过温的临界值往往是预先设定的固定值,难以依据芯片需求调整,造成在保护芯片的过程中,消耗过多的功耗或是过高的温度,增加芯片损毁的风险。
综观前述,本发明的发明者思索并设计一种芯片过电流及过温保护方法,以期针对现有技术的问题加以改善,进而增进产业上的实施利用。
发明内容
有鉴于背景技术所述的问题,本发明的目的在于提供一种芯片过电流及过温保护方法,避免芯片在操作时因为电流过大或温度过高而造成芯片损坏的问题。
基于上述目的,本发明提供一种芯片过电流及过温保护方法,是由控制模块控制芯片的电流供应,芯片保护方法包含:藉由电流检测模块检测芯片的通过电流;藉由温度感测模块感测芯片的操作温度;当通过电流达到电流门槛值时,控制模块维持通过电流于电流门槛值;当维持电流门槛值持续达到电流维持时间,控制模块停止芯片的电流供应;以及当操作温度恢复至重启门槛值时,控制模块持续停止电流供应关闭延迟时间后,重新启动芯片的电流供应。
优选地,电流维持时间可包含当操作温度达到温度门槛值,控制模块停止芯片的电流供应。
优选地,关闭延迟时间可包含当操作温度降低至重启温度值,控制模块重新启动芯片的电流供应。
优选地,芯片过电流及过温保护方法可进一步包含:当重新启动芯片的电流供应时,若通过电流仍为电流门槛值,控制模块维持通过电流于电流门槛值;当维持电流门槛值持续达到电流维持时间,控制模块停止芯片的电流供应;以及当操作温度恢复至重启门槛值时,控制模块持续停止电流供应关闭延迟时间后,重新启动芯片的电流供应。
优选地,芯片过电流及过温保护方法可进一步包含:当重新启动芯片的电流供应时,若通过电流低于电流门槛值,电流检测模块持续检测通过电流是否达到电流门槛值。
优选地,关闭延迟时间可为电流维持时间的2倍。
优选地,温度门槛值可为150℃,重启门槛值可为110℃。
承上所述,依本发明的芯片过电流及过温保护方法,其可具有一或多个下述优点:
(1)此芯片过电流及过温保护方法能在不改变电流门槛值、温度门槛值及重启门槛值的情况下,降低芯片操作所耗费的功耗,提升芯片操作的效率。
(2)此芯片过电流及过温保护方法能在不改变电流门槛值、温度门槛值及重启门槛值的情况下,降低芯片的平均温度,避免芯片因高温而损坏,增加芯片的耐用度及可靠度。
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