[发明专利]一种吸气剂图形化的掩膜方式

权利要求书

1.一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：所述该方式包括如下具体步骤：

步骤一、材料准备；

步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；

步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片；

步骤四、平铺放置薄膜保护层；

步骤五、放置铝制压块；

步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；

步骤七、放置铝制压块盖板。

2.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤一中准备的材料有掩膜片、硅片、薄膜保护层、铝制压块、强力磁铁以及铝制压块盖板，且掩膜片表面设有凹槽，硅片表面有凸起。

3.根据权利要求2所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤一中所述掩膜片的厚度为0.2mm，所述硅片表面的凸起厚度为100μm，掩膜片表面的凹槽与硅片表面的凸起对应。

4.根据权利要求2所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤三中在放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面的凸起与掩膜片表面的凹槽对应，利用掩膜片表面的凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合。

5.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤四中所述薄膜保护层用于保护硅片，防止硅片表面被划伤。

6.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤五中所述铝制压块表面开设有若干组圆孔，圆孔直径为20mm，且圆孔呈匀匀分布，圆孔用于放置强力磁铁，所述铝制压块表面开设有固定孔，用于固定铝制压块盖板。

7.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤六中所述强力磁铁用以吸附掩膜片，使得掩膜片完全贴合硅片，防止镀制的吸气剂衍出。

8.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：步骤七中所述铝制压块盖板用于限制强力磁铁，防止强力磁铁从圆孔内滑出。

9.根据权利要求1所述的一种吸气剂图形化的掩膜方式，其特征在于：所述铝制压块与铝制压块盖板均采用铝制，能够避免强力磁铁与压块以及盖板之间吸附，便于将强力磁铁取下。