[发明专利]一种吸气剂图形化的掩膜方式

说明书

一种吸气剂图形化的掩膜方式，所述该方式包括如下具体步骤：步骤一、材料准备；步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片，放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面凸起与掩膜片表面凹槽对应，利用掩膜片表面凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合；步骤四、平铺放置薄膜保护层；步骤五、放置铝制压块；步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；步骤七、放置铝制压块盖板。该掩膜方式，操作简单，利用掩膜片表面的凹槽，配合铝制压块以及强力磁铁，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且还能使掩膜片与硅片更加贴合，防止镀制的吸气剂衍出。

技术领域

本发明涉及材料成型技术领域，特别涉及一种吸气剂图形化的掩膜方式。

背景技术

吸气剂可分为蒸发型吸气剂和非蒸发型吸气剂两大类，蒸发型吸气剂主要依靠蒸发形成薄膜的过程吸附气体。在8英寸晶圆上镀制吸气剂，可以为晶圆创造良好的工作环境，稳定晶圆的特性参量，对晶圆的性能及使用寿命有重要的影响，但是晶圆上有凸起，用传统的平片掩膜片，会造成掩膜片与硅片不贴合，从而使镀制的吸气剂衍出，造成吸气剂尺寸不可控，功能不可控，影响很大，为此，我们提出一种吸气剂图形化的掩膜方式。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种吸气剂图形化的掩膜方式，可以有效解决背景技术中的问题。

一种吸气剂图形化的掩膜方式，所述该方式包括如下具体步骤：

步骤一、材料准备；

步骤二、取带吸气剂图形的掩膜片；

步骤三、在掩膜片表面放置8英寸的硅片；

步骤四、平铺放置薄膜保护层；

步骤五、放置铝制压块；

步骤六、在铝制压块表面放置强力磁铁；

步骤七、放置铝制压块盖板。

进一步的，步骤一中准备的材料有掩膜片、硅片、薄膜保护层、铝制压块、强力磁铁以及铝制压块盖板，且掩膜片表面设有凹槽，硅片表面有凸起。

进一步的，步骤一中所述掩膜片的厚度为0.2mm，所述硅片表面的凸起厚度为100μm，掩膜片表面的凹槽与硅片表面的凸起对应。

进一步的，步骤三中在放置硅片时，将硅片表面的凸起嵌入掩膜片表面的凹槽内，使硅片表面的凸起与掩膜片表面的凹槽对应，利用掩膜片表面的凹槽，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合。

进一步的，步骤四中所述薄膜保护层用于保护硅片，防止硅片表面被划伤。

进一步的，步骤五中所述铝制压块表面开设有若干组圆孔，圆孔直径为20mm，且圆孔呈匀匀分布，圆孔用于放置强力磁铁，所述铝制压块表面开设有固定孔，用于固定铝制压块盖板。

进一步的，步骤六中所述强力磁铁用以吸附掩膜片，使得掩膜片完全贴合硅片，防止镀制的吸气剂衍出。

进一步的，步骤七中所述铝制压块盖板用于限制强力磁铁，防止强力磁铁从圆孔内滑出。

进一步的，所述铝制压块与铝制压块盖板均采用铝制，能够避免强力磁铁与压块以及盖板之间吸附，便于将强力磁铁取下。

本发明提供的吸气剂图形化的掩膜方式，与现有技术相比，具有如下有益效果：

1、利用掩膜片表面的凹槽，掩膜片表面的凹槽与硅片表面的凸起对应，不仅可以限制掩膜片与硅片的相对位置关系，而且能使掩膜片与硅片更加贴合。