[发明专利]芯片封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，其特征在于：所述芯片封装结构包括：

封装基板，具有相对的第一表面与第二表面；

半导体芯片，设置于所述封装基板的第一表面上，与所述封装基板电连接；

多个接地垫，设置于所述封装基板的第一表面上，且至少部分环绕所述半导体芯片；

塑封层，覆盖所述封装基板的第一表面并包覆所述半导体芯片与所述多个接地垫；

金属层，覆盖所述塑封层的顶面与侧面；以及

多个导电弧线，埋设于所述塑封层内，具有相对的第一端与第二端，其中所述多个导电弧线的第一端分别连接所述多个接地垫之一，所述多个导电弧线的第二端则从所述塑封层的侧面露出并接触于所述金属层。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：还包括多个导电球，设置于所述封装基板的第二表面上，且电连接所述半导体芯片。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述多个导电弧线的第二端位于所述塑封层的侧面的高度的1/4至3/4处。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述多个导电弧线的第二端的间距为大于或等于50μm且小于或等于500μm。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述多个导电弧线的线径为大于或等于20且小于或等于30微米。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述金属层的材质选自以下材料或它们的任意组合：铝、铜、铁。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述多个导电弧线的材质为金、银、铝或铜。

8.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述多个接地垫将所述半导体芯片全部环绕，所述金属层与所述多个导电弧线构成了底部收缩的法拉第笼。

9.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述半导体芯片透过引线键合或倒装芯片键合而与所述封装基板电连接。

10.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述半导体芯片的运行频率介于0.5GHz-10 GHz。

11.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述半导体芯片包括以下芯片的一个或多个：RF射频芯片、GPS定位芯片、DRAM存储芯片、NAND存储芯片、蓝牙芯片、控制器芯片。

12.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于：所述多个导电弧线为类似1/4圆形的弧线。

13.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于：所述芯片封装结构的制备方法包括以下步骤：

提供第一表面上设置有半导体芯片、多个接地垫、多个引线、及导线的封装基板，其中所述导线沿所述封装基板的周围设置并至少部分环绕所述半导体芯片，所述多个接地垫对应于所述导线且相对所述导线更接近所述半导体芯片地布置，所述多个接地垫部分环绕了所述半导体芯片并透过所述多个引线连接所述导线；

形成塑封层于所述封装基板的第一表面上，其中所述塑封层包覆所述半导体芯片所述导线、所述多个引线与所述多个接地垫；

沿所述半导体芯片的周围切割所述塑封层和封装基板，以使在所述多个接地垫和导线之间切断所述多个引线，形成埋设于所述塑封层内的多个导电弧线，其中所述多个导电弧线具有分别连接所述多个接地垫之一的第一端以及为所述塑封层的侧面露出的第二端；以及

形成金属层于经切割处理的所述塑封层的顶面与侧面上以接触从所述塑封层的侧面露出的多个导电弧线的第二端。

14.根据权利要求13所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于：在沿所述半导体芯片的周围切割所述塑封层和封装基板的步骤中，自所述多个引线的最高点处切断所述多个引线。

15.根据权利要求13所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于：还包括以下步骤：在所述封装基板的第二表面上设置多个导电球，其中所述多个导电球电连接所述半导体芯片。