[发明专利]钨结构及形成所述结构的方法

权利要求书

1.一种形成多层结构的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成含硅材料，所述含硅材料包含掺杂剂；

将所述含硅材料的至少一部分转化为钨晶种材料，其中所述钨晶种材料的大部分是β相钨；及

在所述钨晶种材料上方形成钨填充物，其中所述钨填充物的所述钨的大部分是α相钨，且所述钨填充物的大部分具有具至少80nm的最大尺寸的晶粒大小。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：形成其中具有开口的电介质材料，所述开口相对于至少一个轴具有至少2:1的高宽比；及在所述开口内形成所述含硅材料的至少一部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括在所述开口内形成氮化钛，及在所述氮化钛上方形成所述含硅材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述含硅材料包括同时沉积所述含硅材料与所述含硅材料的所述掺杂剂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述含硅材料包括沉积含硅材料及用所述掺杂剂掺杂所述经沉积的含硅材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中形成所述含硅材料是通过使用包括硅及氢的前体的化学气相沉积来执行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述含硅材料是至少部分地通过化学气相沉积CVD来执行。

8.根据权利要求4所述的方法，其中形成所述含硅材料及所述掺杂剂是通过使用乙硅烷前体及包含所述掺杂剂的第二前体的化学气相沉积CVD来执行。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述掺杂剂包括氯。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述化学气相沉积进一步包括使用二氯硅烷。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂剂包括氯、砷及磷中的一或多者。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述钨晶种材料的大部分是β相钨。

13.根据权利要求1所述的方法，其中将包括掺杂剂的所述含硅材料的至少一部分转化为钨晶种材料包括通过暴露于包括钨的气体来还原所述含硅材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述包括钨的气体包括六氟化钨。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述钨晶种材料及所述钨填充物材料在所述衬底上方形成导电线。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述钨填充物形成导电线，所述导电线在垂直于所述线的长度的平面中具有竖直横截面，其中所述钨填充物的所述竖直横截面具有至少2:1的高宽比。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述钨填充物的所述竖直横截面具有至少20:1的高宽比。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述钨晶种材料及所述钨填充物材料在所述衬底上方形成源极线。

19.根据权利要求1所述的方法，其中所述钨填充物材料的至少50％具有具至少100nm的最大尺寸的晶粒大小。