[发明专利]一种光刻套刻标记及其制备方法

权利要求书

1.一种光刻套刻标记的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：制作标记点图形，采用匀胶、曝光、显影方式将标记点图形转移至芯片上，露出外延层；

步骤S2：采用电感耦合等离子刻蚀的方法刻蚀外延层；刻蚀气体为Cl₂和BCl₃；刻蚀深度为刻蚀角度为70°～80°；

步骤S3：蒸镀金属标记点，金属结构为CrAlTiPtAu；CrAlTiPtAu金属结构是从下往上依次为金属Cr层、Al层、Ti层、Pt层、Au层；金属结构第一层Cr厚度为第二层Al厚度第三层Ti厚度第四层Pt厚度第五层Au厚度

步骤S4：剥离去胶。

2.根据权利要求1所述的光刻套刻标记的制备方法，其特征在于，步骤S1中标记点图形为上下左右对称图形。

3.根据权利要求1所述的光刻套刻标记的制备方法，其特征在于，匀胶使用正性光刻胶，胶厚度为3～4μm。

4.根据权利要求3所述的光刻套刻标记的制备方法，其特征在于，显影后经过热板烘烤，烘烤温度为90℃～100℃，烘烤时间为60s～90s。

5.根据权利要求1所述的光刻套刻标记的制备方法，其特征在于，步骤S3中采用电子束蒸镀方式蒸镀金属标记点。

6.根据权利要求1所述的光刻套刻标记的制备方法，其特征在于，步骤S3蒸镀金属标记点前，先去除刻蚀凹槽里的残留有机物，然后用旋转干燥机和热氮气吹干的方式干燥。

7.根据权利要求1所述的光刻套刻标记的制备方法，其特征在于，步骤S4采用蓝膜剥离和有机去胶溶液清洗掉光刻胶的方式。

8.一种光刻套刻标记，采用权利要求1～7任意一项所述光刻套刻标记的制备方法制备而成。