[发明专利]一种光刻套刻标记及其制备方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光刻套刻标记及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：步骤S1：制作标记点图形，将标记点图形转移至芯片上，露出外延层；步骤S2：刻蚀外延层；步骤S3：蒸镀金属标记点，金属结构为CrAlTiPtAu；CrAlTiPtAu金属结构是从下往上依次为金属Cr层、Al层、Ti层、Pt层、Au层；步骤S4：剥离去胶。本发明提供的方法制备的光刻套刻标记抗磨损能力强、分辨率高、不易被腐蚀，受离子的物理轰击和化学溶液腐蚀的影响极其轻微；同时本发明的金属标记点可以反射光线，使金属标记点更加清楚，提高了对位精准度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光刻套刻标记及其制备方法。

背景技术

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。随着科技的进步和社会的发展，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等多领域都有广泛的应用。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。在半导体制造过程中，光刻工艺作为核心技术，套刻的精准程度将直接影响着产品的外观及性能。

传统的套刻工艺通过第一次光刻和刻蚀，在硅片上形成功率半导体器件图形，同时也形成对准标记供后续光刻对准使用。从第二次光刻开始，每次光刻需要与前层对准。对准和光刻套刻标记形成以后，需经历离子注入和退火的过程。在此过程中，由于离子的物理轰击和退火时的化学反应，光刻套刻标记受到磨损，会出现对准标记尺寸改变、图形分辨率降低、台阶差减小、对比度降低、图形煙没甚至消失等问题。从而影响光刻对准光刻套刻标记，降低功率半导体器件后续制备工艺的精度，增加了功率半导体器件的废品率以及生产成本。

因此，需对现有技术进一步改进。

发明内容

有鉴于此，有必要针对上述的问题，提供一种光刻套刻标记及其制备方法，提高套刻的精准程度。

为实现上述目的，本发明采取以下的技术方案：

一种光刻套刻标记的制备方法，包括以下步骤：

步骤S1：制作标记点图形，将标记点图形转移至芯片上，露出外延层；

步骤S2：刻蚀外延层；

步骤S3：蒸镀金属标记点，金属结构为CrAlTiPtAu；CrAlTiPtAu金属结构是从下往上依次为金属Cr层、Al层、Ti层、Pt层、Au层；

步骤S4：剥离去胶。

金属结构第一层Cr具有粘附性和光效。第二层Al具有良好的反射率，由于标记点在外延层底下，紫外线需穿过外延层与标记点进行对位曝光，Al能够反射部分光线，为键合后的光刻工艺提供了良好的曝光条件，使标记点更清晰，进一步提高了对位精准度。第三层Ti和第四层Pt作为阻挡层，Ti防止第二层Al与第五层Au形成合金从而影响稳定性。Pt防止Au扩散，从而保持稳定的欧姆接触特性。

进一步的，上述光刻套刻标记的制备方法中，步骤S1中标记点图形为上下左右对称图形。

优选的，上述光刻套刻标记的制备方法中，标记点图形包括但不限于“回”字，“H”字以及“十”字。

优选的，上述光刻套刻标记的制备方法中，标记点图形尺寸为200μm×200μm，相邻标记点之间的距离为600μm。

进一步的，上述光刻套刻标记的制备方法中，采用匀胶、曝光、显影方式将标记点图形转移至芯片上；匀胶使用正性光刻胶，胶厚度为3~4μm。

进一步的，上述光刻套刻标记的制备方法中，显影后经过热板烘烤，烘烤温度为90℃~100℃，烘烤时间为60s~90s。