[发明专利]一种提高普通塑料表面选择性金属化镀层的致密性、提高镀层制备效率的工艺在审
申请号: | 202011500571.3 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN112725796A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 杜岩滨;刘滔;刘丁丁;邓雪松 | 申请(专利权)人: | 广东博迅通信技术有限公司;昆山联滔电子有限公司 |
主分类号: | C23C28/02 | 分类号: | C23C28/02;C23C18/20;C23C18/22;C23C18/30;C23C18/32;C23C18/38;C25D3/38;C25D5/00;C25D5/56 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 林燕 |
地址: | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 普通 塑料 表面 选择性 金属化 镀层 致密 制备 效率 工艺 | ||
本发明公开了一种提高普通塑料表面选择性金属化镀层的致密性、提高镀层制备效率的工艺,步骤一:使用PC+GF/PC+ABS/PC+ABS+GF/PPS+GF/PPO+GF/PA/PA+GF等工程塑料进行注塑,其中GF为玻纤,依据塑料基材性能的要求,GF的含量从10%到60%,步骤二:采用激光机对基材表面进行选择性粗活,激光的作用是在基材表面形成微孔结构,与对LDS材料激光活化的作用不同,本发明涉及LDS技术技术领域。该提高普通塑料表面选择性金属化镀层的致密性、提高镀层制备效率的工艺,本发明经过激光粗化的物料进入到超声槽去除粉尘,然后进行表面改性,改性的主要目的是在塑料的长碳分子链上接枝羟基基团,以便后续的活化金属能够更紧密的连接塑料基材与金属镀层,从而提高普通塑料表面与镀层的结合强度。
技术领域
本发明涉及LDS技术技术领域,具体为一种提高普通塑料表面选择性金属化镀层的致密性、提高镀层制备效率的工艺。
背景技术
LDS技术是目前在终端天线领域实现立体电路的最主要的方法之一,其工艺流程为对含有触媒的特殊塑料进行激光活化,在塑料表面实现3D形状的图案,该图案在激光的作用下被激活且形成了孔隙结构,然后在化镀药水中对激活的位置进行金属化,从而形成了能够发射信号的立体线路。类似的,目前也有人在普通塑料表面进行激光镭射,采用一定的化镀前处理,将镭射区域激活从而形成与LDS相似的立体线路。但是采用上述方法制备的镀层仍然存在着一些工艺本身所固有的缺陷,首先LDS本身的材质成本较高,且由于添加了触媒,对信号性能有不良的影响,特别是随着5G技术的应用,触媒对信号的影响日益显著,触媒的加入也对塑料的耐老化性能产生不良的影响。而采用普通塑料制备的镀层,虽然不影响塑料的耐候性和信号的发射性能,但由于激光粗化以及活化剂没有选择性的原因,金属化过程中容易出现溢镀和漏镀的风险,而前处理不好的物料容易出现镀层附着力的问题。另外上述两种金属化方案,由于是在塑料基材表面进行化镀的金属化过程,不可避免的会出现化镀的沉积缺陷,在金属化的过程中在镀层上存在大量的针孔,受塑料基材激光粗化的影响,只能原位生长的化镀镀层的粗糙度较高,从而影响了镀层本身的可靠性和电性能。再者上述金属化的实现是在化学镀药水中进行的,较低的上镀速度和不稳定的药水造成过了生产效率低下,生产成本高的现实问题。
因此改善普通塑料激光选择性镭射面的活性状态,提高普通塑料表面选择性金属化镀层的致密性、可靠性以及镀层的制备效率显的尤为重要。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本发明提供了一种提高普通塑料表面选择性金属化镀层的致密性、提高镀层制备效率的工艺,解决上述问题。
(二)技术方案
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种提高普通塑料表面选择性金属化镀层的致密性、提高镀层制备效率的工艺,其特征在于:具体包括如下步骤:
步骤一:使用PC+GF/PC+ABS/PC+ABS+GF/PPS+GF/PPO+GF/PA/PA+GF等工程塑料进行注塑,其中GF为玻纤,依据塑料基材性能的要求,GF的含量从10%到60%。
步骤二:采用激光机对基材表面进行选择性粗活,激光的作用是在基材表面形成微孔结构,与对LDS材料激光活化的作用不同,由于是在普通基材上进行激光镭射,材料中不含触媒,激光只有粗化作用,没有活化作用;
步骤三:经过激光粗化的物料进入到超声槽去除粉尘,然后进行表面改性,改性的主要目的是在塑料的长碳分子链上接枝羟基基团,以便后续的活化金属能够更紧密的连接塑料基材与金属镀层,改性后的镀层表面具有更大的比表面积,更容易跟后续活性离子钯或者银吸附,从而提高镀层的结合强度;
步骤四:经过改性的塑料基材进入到活化药水中进行活化,在镭射区域形成活性中心,以便后续的化镀药水能够在活性点上发生自催化反应;
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