[发明专利]一种可见光通信LED器件有效
申请号: | 202011501405.5 | 申请日: | 2020-12-18 |
公开(公告)号: | CN112635512B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 李国强 | 申请(专利权)人: | 河源市众拓光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H04B10/116;H04B10/50 |
代理公司: | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人: | 潘素云 |
地址: | 517000 广东省河源*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可见 光通信 led 器件 | ||
1.一种可见光通信LED器件,其特征在于,通过将多个微阵列可单独寻址的LED芯片集成在一起,多个LED芯片分成不同光色的LED芯片区域,利用不同区域的芯片明暗交替,来实现信号识别;
所述可见光通信LED器件包括四块不同的LED芯片区域,分别为红光微阵列LED R区、绿光微阵列LED G区、蓝光微阵列LED B区和白光LED RGB区;
蓝光B区与绿光G区选用GaN材料,利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长LED结构,自下而上分别为蓝宝石衬底、非掺杂的GaN缓冲层、n-GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、AlGaN电流阻挡层和p-GaN层;通过调节InGaN/GaN多量子阱的厚度以满足G、B区不同波长发射光的要求;
利用光刻工艺与感应耦合等离子体刻蚀工艺,使阵列中微型LED器件之间相互电学隔离,并在刻蚀选区部分除去p-GaN层、AlGaN电流阻挡层和InGaN/GaN多量子阱层,直至暴露出n-GaN层;外部n-GaN层区域的直径为100um,内部p-GaN层区域的直径为50um;
再次利用光刻暴露出两个环形区域,通过电子束蒸发沉积Cr/Pd/Au金属叠层作为p型和n型电极,并在200℃的N2气氛中快速退火2min,环形p电极与环形n电极的内径差均为5um;
利用通断键控制和脉冲宽度调制技术,将不同的信号通过驱动器放大后通过直流偏置器加载到R、G、B这三个区域的芯片上,这三束不同颜色的光束在空间耦合,并在空间传输;在接收端,采用红、绿、蓝三色滤光片将不同波长的信号选择出来,再由接收电路进行信号采集和后端处理,实现信号识别与数据传输。
2.根据权利要求1所述的可见光通信LED器件,其特征在于,R区微阵列LED的芯片均为N×N的阵列结构,2×2微型LED单元的p电极与其所包围的pad金属层电极互联,每两行2N个微型LED单元通过p型金属线共同引出一个p pad接触层;阵列中所有微阵列LED共n极,在芯片底面引出一个n pad接触层。
3.根据权利要求1所述的可见光通信LED器件,其特征在于,G、B区微阵列LED的芯片均为N×N的阵列结构,2×2微型LED单元的n电极与其所包围的pad金属层电极互联,每两行2N个微型LED单元通过n型金属线共同引出一个行pad接触层;每两列2N个微型LED单片的p电极进行电极互联,并共同引出一个列pad接触层。
4.根据权利要求1所述的可见光通信LED器件,其特征在于,R、G、B区中,微型LED的单一发光单元的直径为100-200um,相邻微型LED单元的间距为50um,其中矩形pad金属层的边长为50um。
5.根据权利要求1所述的可见光通信LED器件,其特征在于,R、G、B区满足不同波长发射光的要求,其中R区红光的波长为600~620nm,G区绿光的波长为520~540nm,B区蓝光的波长为440~460nm。
6.根据权利要求1所述的可见光通信LED器件,其特征在于,白光区的大功率RGB型白光LED芯片,在直流电源的作用下,发出稳定的白光。
7.根据权利要求1所述的可见光通信LED器件,其特征在于,利用MIMO技术,R、G、B区阵列中不同区域的微阵列LED芯片可分别控制,发送不同数据,并由多个光电探测器接收。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的