[发明专利]具有增强的高频性能的金属氧化物半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，具有第一导电类型；

外延区域，具有第一导电类型，并设置于所述衬底的上表面；

至少两个体区域，具有第二导电类型，形成于所述外延区域中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，体区域位于靠近所述外延区域的上表面，且所述的两个体区域在横向上相互间隔；

至少两个源区，具有第一导电类型，每个所述源区均被设置于对应的体区域中靠近该体区域上表面的位置；

栅极结构，包括：至少两个平面栅，每个所述的平面栅均位于所述的外延区域的上表面，并与相应的体区域的至少一部分重叠；和位于两个所述体区域之间且至少部分位于所述外延区域之中的沟槽栅；以及

漏极触点，设置于所述衬底背面并与所述衬底电连接。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述的至少两个平面栅和所述的沟槽栅形成一个具有平面栅和沟槽栅功能的T形连结栅极。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：

第一介电层，设置于所述的至少两个平面栅和相应的下方的部分体区域与外延区域之间；以及

第二介电层，设置于所述的沟槽栅与相邻的所述外延区域之间。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，其中，所述的第二介电层具有不均匀的厚度，位于所述沟槽栅底墙及该向上延伸的部分侧墙位置的所述的第二介电层的第一部分具有第一厚度，所述沟槽栅的侧墙向上延伸直至上表面的第二介电层的第二部分具有第二厚度，所述第一厚度比所述第二厚度更厚。

5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中，所述的两个平面栅和所述的沟槽栅具有彼此结构分离的梳状结构，所述梳状结构的一端或两端电连接在一起。

6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括介电侧墙，形成于所述的栅极结构中至少两个平面栅的侧壁以及形成于延伸于所述外延层的上表面上的沟槽栅的一部分侧壁。

7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括至少两个具有第二导电类型的掺杂区域，形成于靠近体区域上表面的位置，并横向与对应的源区相邻，以形成该器件的源极触点。

8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括多个具有第一导电类型的注入区域，每个所述的注入区域均形成于靠近所述外延层的上表面，且位于相应的体区域和沟槽栅之间。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，每个所述的注入区域的垂直边缘均与所述的栅极结构的平面栅和沟槽栅自对准。

10.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，其中每个所述的注入区域的掺杂浓度为1×10¹⁶个原子/立方厘米至1×10¹⁸个原子/立方厘米。

11.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括多个栅极电极，分别与所述栅极结构中的平面栅及沟槽栅电连接，每个所述的栅极电极均包括分别在对应的平面栅及沟槽栅的至少一部分上表面上形成的金属硅化物层。

12.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括至少两个嵌入式源极触点，每个所述的嵌入式源极触点均形成于对应的体区域中，靠近该体区域的上表面，并与相邻的源区电连接。

13.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述体区域的掺杂浓度为5×10¹⁶个原子/立方厘米至1×10¹⁸个原子/立方厘米。