[发明专利]基板处理装置、基板处理方法及基板研磨方法

说明书

本发明为基板处理装置、基板处理方法及基板研磨方法，无论基板的直径的公差如何都提高基板的被研磨面的研磨的均匀性。基板处理装置包括：用于支承基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨垫(222)的垫保持件(226)，而该研磨垫用于对支承在工作台(100)上的基板(WF)进行研磨；用于使垫保持件摆动的摆动机构；用于支承通过摆动机构而向工作台(100)的外侧进行摆动的研磨垫的支承部件(300A、300B)；用于测量基板(WF)的直径的测量器(400)；以及根据由测量器(400)测量出的基板(WF)的直径来调整支承部件相对于支承在工作台(100)上的基板(WF)的位置的驱动机构(320)。

技术领域

本申请涉及基板处理装置、基板处理方法及基板研磨方法。本申请基于2019年12月20日申请的日本专利申请号第2019-230480号而主张优先权。包含日本专利申请号第2019-230480号的说明书、专利请求保护的范围、附图以及摘要在内的全部的发明内容通过参照作为整体引用于本申请。

背景技术

在半导体加工工序中使用的基板处理装置的一种中存在CMP(ChemicalMechanical Polishing，化学机械研磨)装置。CMP装置根据基板的被研磨面所朝着的方向而可以大致分为“面朝上式(基板的被研磨面向上的方式)”和“面朝下式(基板的被研磨面向下的方式)”。

在专利文献1(日本特开2003-229388号公报)中公开了如下内容：在面朝上式的CMP装置中，一边使直径比基板的直径小的研磨垫旋转一边使该研磨垫与基板接触而摆动，由此对基板进行研磨。在该CMP装置中，公开了如下内容：在基板的周围设置用于在使研磨垫摆动到了基板的外侧时对研磨垫的从基板伸出的部分进行支承的支承部件，并且使支承部件能够在基板的径向上移动。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-229388号公报

然而，在专利文献1所记载的技术中，关于无论基板的直径的公差如何均对基板的被研磨面进行均匀研磨的方面，存在改善的余地。即，基板处理装置虽然将按标准规定的规定尺寸的基板作为处理对象，但实际上基板的直径存在公差(偏差)。

与此相对，专利文献1中的支承部件的移动在基板的装载时使支承部件移动到远离基板的位置以免成为障碍，在装载结束后，使支承部件移动到接近基板的位置。因此，专利文献1所记载的技术对基板的直径的公差未作考虑，因此，在基板的直径存在公差的情况下难以将支承部件配置于适当的位置，其结果是，存在基板的被研磨面的研磨的均匀性受损的情况。

发明内容

因此，本申请的一个目的在于，无论基板的直径的公差如何都使基板的被研磨面的研磨的均匀性提高。

根据一实施方式，公开了一种基板处理装置，其包括：工作台，该工作台用于支承基板；垫保持件，该垫保持件用于保持研磨垫，该研磨垫用于对支承在所述工作台上的基板进行研磨；摆动机构，该摆动机构用于使所述垫保持件摆动；支承部件，该支承部件用于支承通过所述摆动机构而向所述工作台的外侧进行摆动的研磨垫；测量器，该测量器用于测量基板的直径；以及驱动机构，该驱动机构根据由所述测量器测量出的基板的直径调整所述支承部件相对于支承在所述工作台上的基板的位置。

附图说明

图1是概略性地表示基于一实施方式的基板处理装置的整体结构的立体图。

图2是概略性地表示基于一实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。

图3是概略性地表示基于一实施方式的多轴臂的立体图。

图4是概略性地表示基于一实施方式的工作台及支承部件的立体图。

图5是概略性地表示基于一实施方式的工作台及支承部件的立体图。