[发明专利]一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种砷化镓多结太阳能电池芯片，其特征在于，包括：

依次叠层设置的衬底、电池功能层以及减反射层，

所述减反射层上设置有裸露口，所述衬底的背部设置有背面电极；

欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述电池功能层上并且位于所述裸露口处；

正面电极，与所述欧姆接触层连接并且裸露于所述减反射层外；

所述正面电极还包括主栅电极以及多个细栅电极，所述主栅电极设置在所述减反射层上，所述细栅电极设置在所述欧姆接触层上，多个所述细栅电极与所述主栅电极连接；

所述减反射层与所述电池功能层之间设置有支撑层，所述主栅电极位于所述支撑层的上方。

2.根据权利要求1所述的一种砷化镓多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述支撑层与所述欧姆接触层厚度相等。

3.根据权利要求1所述的一种砷化镓多结太阳能电池芯片，其特征在于：所述电池功能层包括依次叠层设置的Ge子电池、GaAs子电池、GaInP子电池，所述Ge子电池设置在所述衬底上，所述减反射层设置在所述GaInP子电池上。

4.一种砷化镓多结太阳能电池芯片的制备方法，包括以下步骤：

在衬底上依次生成电池功能层以及欧姆接触层；

采用光刻工艺在欧姆接触层上定义电极区域；

采用腐蚀工艺除去电极区域外的欧姆接触层；

采用蒸镀工艺在经过腐蚀工艺后的电池功能层以及欧姆接触层表面形成减反射层；

采用光刻工艺在减反射层上定义电极区域；

采用腐蚀工艺除去电极区域上的减反射层；

制备正面电极，正面电极与欧姆接触层连接并且裸露于所述减反射层外。

5.根据权利要求4所述的一种砷化镓多结太阳能电池芯片的制备方法，其特征在于：所述正面电极还包括主栅电极以及多个细栅电极；

在采用光刻工艺在欧姆接触层上定义电极区域中，该电极区域包括主栅电极区域以及细栅电极区域，采用腐蚀工艺除去主栅电极区域和细栅电极区域外的欧姆接触层；

采用光刻工艺在减反射层上定义细栅电极区域，而后采用腐蚀工艺除去细栅电极区域中的减反射层，而主栅电极区域处的欧姆接触层作为支撑层；

制备所述主栅电极以及所述细栅电极，所述细栅电极与所述欧姆接触层连接并且裸露于所述减反射层外，所述主栅电极设置在所述减反射层上并且位于所述支撑层上方，所述细栅电极与所述主栅电极连接。

6.根据权利要求4所述的一种砷化镓多结太阳能电池芯片的制备方法，其特征在于：所述衬底为Ge衬底，所述电池功能层包括Ge子电池、GaAs子电池、GaInP子电池，所述欧姆接触层为GaAs欧姆接触层；

采用MOCVD在Ge衬底上依次生成Ge子电池、GaAs子电池、GaInP子电池以及GaAs欧姆接触层。

7.根据权利要求4所述的一种砷化镓多结太阳能电池芯片的制备方法，其特征在于：采用氢氟酸腐蚀除去电极区域中的减反射层。