[发明专利]一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法

说明书

本发明公开了一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法，包括衬底、电池功能层、减反射层、欧姆接触层以及正面电极，衬底、电池功能层、减反射层依次叠层设置，减反射层上设置有裸露口，衬底的背部设置有背面电极，欧姆接触层设置在电池功能层上并且位于裸露口处，正面电极与欧姆接触层连接并且裸露于减反射层外，减反射层不会覆盖在正面电极上，正面电极能够正常地对光线反射，使得正面电极的温度相对降低，正面电极能够更好地与外界部件焊接，提高电池转化效率。

技术领域

本发明涉及电池制造技术领域，特别涉及一种砷化镓多结太阳能电池芯片及其制备方法。

背景技术

传统的砷化镓多结太阳电池，在制备电池芯片后，会在电池功能层的正面覆盖减反射层，降低对光的反射，提高电池功能层对光的吸收效率，但是，在生成减反射层时，以往的制备工艺会使得传统的砷化镓多结太阳电池上的减反射层连同正面电极覆盖，导致正面电极上的反射率下降，光照射在正面电极上转化成热量，提高了电极的温度，降低了电池的转化效率。而在正面电极与外界焊接时，减反射膜会对焊接造成阻碍，在焊接前需要对正面电极的焊接区域上的减反射膜进行剥离，若不彻底容易导致焊接性能差或可靠性差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种砷化镓多结太阳能电池芯片，正面电极裸露于减反射层外，降低正面电极上的温度，提高电池转化效率。

本发明还提出一种砷化镓多结太阳能电池芯片的制备方法，使得电池成品的正面电极裸露于减反射层外，提高电池转化效率，生产快捷高效。

根据本发明的第一方面实施例的一种砷化镓多结太阳能电池芯片，包括：依次叠层设置的衬底、电池功能层以及减反射层，所述减反射层上设置有裸露口，所述衬底的背部设置有背面电极；欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述电池功能层上并且位于所述裸露口处；正面电极，与所述欧姆接触层连接并且裸露于所述减反射层外。

根据本发明实施例的一种砷化镓多结太阳能电池芯片，至少具有如下有益效果：

本发明砷化镓多结太阳电池芯片，减反射层设置在电池功能层上，减反射膜能够减少电池功能层的表面对光线的反射，提高电池功能层对光线的吸收能力，而欧姆接触层设置在裸露口处，并且正面电极穿过裸露口与欧姆接触层连接，从而使得正面电极可以正常地与电池功能层导电连接，而减反射层不会覆盖在正面电极上，正面电极能够正常地对光线反射，使得正面电极的温度相对降低，提高电池转化效率。

根据本发明的一些实施例，所述正面电极还包括主栅电极以及多个细栅电极，所述主栅电极设置在所述减反射层上，所述细栅电极设置在所述欧姆接触层上，多个所述细栅电极与所述主栅电极连接。

根据本发明的一些实施例，所述减反射层与所述电池功能层之间设置有支撑层，所述主栅电极位于所述支撑层的上方。

根据本发明的一些实施例，所述支撑层与所述欧姆接触层厚度相等。

根据本发明的一些实施例，所述电池功能层包括依次叠层设置的Ge子电池、GaAs子电池、GaInP子电池，所述Ge子电池设置在所述衬底上，所述减反射层设置在所述GaInP子电池上。

根据本发明第二方面实施例的一种砷化镓多结太阳能电池芯片的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生成电池功能层以及欧姆接触层；采用光刻工艺在欧姆接触层上定义电极区域；采用腐蚀工艺除去电极区域外的欧姆接触层；采用蒸镀工艺在经过腐蚀工艺后的电池功能层以及欧姆接触层表面形成减反射层；采用光刻工艺在减反射层上定义电极区域；采用腐蚀工艺除去电极区域中的减反射层；制备正面电极，正面电极与欧姆接触层连接并且裸露于所述减反射层外。

根据本发明实施例的一种砷化镓多结太阳能电池芯片的制备方法，至少具有如下有益效果：