[发明专利]单晶炉的除尘过滤系统及其控制方法、单晶炉组件

说明书

本发明公开了一种单晶炉的除尘过滤系统，包括除尘装置、储气装置、第一真空装置和第二真空装置，除尘装置为多个，每个除尘装置上设有第一进气管路，第一进气管路适于与单晶炉的排气口连通，储气装置上设有出气管路，每个除尘装置分别通过出气管路与储气装置连通，出气管路上设有第二开关阀，第一真空装置上设有第一真空管路，每个除尘装置分别通过第一真空管路与第一真空装置连通，第二真空装置上设有第二真空管路，每个除尘装置分别通过第二真空管路与第二真空装置连通。根据本发明的单晶炉的除尘过滤系统，便于实现对除尘装置的除尘处理，有效避免除尘装置堵塞，且不影响单晶炉的长晶过程。

技术领域

本发明涉及晶体生长技术领域，尤其是涉及一种单晶炉的除尘过滤系统及其控制方法、单晶炉组件。

背景技术

随着半导体相关领域技术的大力发展，现在的单晶生长炉投料量达450kg，拉制的晶体已朝大直径、大长度方向发展，整个晶体生长周期可长达一周时间，由于长晶过程中，长晶过程中产生的粉尘在真空泵抽取下会随着气体一起离开炉室，经过除尘罐时，粉尘会被滤芯过滤掉。而在长达一周的生长过程中，除尘装置流程不会开启，粉尘会慢慢积聚在滤芯上，堵住滤芯孔，引发堵塞问题，导致单晶炉生长腔内的压力上升，一方面会对晶体生长产生影响，另一方面可能会造成安全事故。

相关技术中，对除尘装置的除尘手段较为有限，例如采用加大除尘面积，延缓堵塞时间的方法来实现生长腔的压力稳定，但若一味地加大除尘面积，使得除尘装置体积庞大，需要更大的生产场地，带来使用上的不便，而且增加除尘面积只是延缓堵塞时间，并不能根本解决堵塞问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种单晶炉的除尘过滤系统，所述除尘过滤系统便于实现对除尘装置的除尘处理，有效避免除尘装置堵塞，且不影响单晶炉的长晶过程。

本发明还提出一种具有上述除尘过滤系统的单晶炉组件。

本发明还提出一种上述除尘过滤系统的控制方法。

根据本发明第一方面的单晶炉的除尘过滤系统，包括：除尘装置，所述除尘装置为多个，每个所述除尘装置上设有第一进气管路，所述第一进气管路适于与所述单晶炉的排气口连通，所述第一进气管路上设有第一开关阀，每个所述除尘装置包括过滤单元，所述过滤单元用于过滤所述单晶炉排放的气体；储气装置，所述储气装置上设有多个出气管路，每个所述除尘装置分别通过一个所述出气管路与所述储气装置连通，所述出气管路上设有第二开关阀；第一真空装置，所述第一真空装置上设有多个第一真空管路，每个所述除尘装置分别通过一个所述第一真空管路与所述第一真空装置连通，所述第一真空管路上设有第一真空阀；第二真空装置，所述第二真空装置上设有多个第二真空管路，每个所述除尘装置分别通过一个所述第二真空管路与所述第二真空装置连通，所述第二真空管路上设有第二真空阀。

根据本发明的单晶炉的除尘过滤系统，便于实现对除尘装置的除尘处理，有效避免除尘装置堵塞，且不影响单晶炉的长晶过程。

在一些实施例中，每个所述除尘装置上还设有第二进气管路，所述第二进气管路用于向所述除尘装置内通入空气，所述第二进气管路上设有第三开关阀。

在一些实施例中，所述储气装置上设有进气管路，所述进气管路用于向所述储气装置通入存储气体，且所述进气管路上设有第四开关阀和单向阀。

在一些实施例中，每个所述除尘装置上设有真空开关，所述真空开关用于检测所述除尘装置内的真空度，且所述真空开关与所述第二开关阀通信以控制所述第二开关阀动作。

在一些实施例中，所述除尘装置和/或所述储气装置上设有压力检测装置和/或安全阀。

在一些实施例中，所述过滤单元包括硬质滤芯；任选地，所述硬质滤芯包括无机烧结多孔材料件，或者，所述硬质滤芯包括骨架和设在所述骨架上的多层丝网。