[发明专利]半导体元件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一基底，包括一埋入层；

一栅极电极，设置在该基底中，并穿经该埋入层；以及

多个杂质区，设置在该基底中，并位在该栅极电极的任一侧。

2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一虚拟电极，设置在该基底中，其中该埋入层经由该虚拟电极而暴露。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该虚拟电极的一宽度大于该栅极电极的一宽度。

4.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一盖层，覆盖该栅极电极与该虚拟电极，并接触经由该虚拟电极而暴露的该埋入层。

5.如权利要求2所述的半导体元件，其中该虚拟电极设置在一周围区，该周围区是侧向地围住一主动区，该栅极电极则设置该主动区中，且该基底延伸至包括该周围区与该主动区。

6.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一介电衬垫，插置在该栅极电极与该基底之间，并插置在该虚拟电极与该基底之间，其中位在该主动区中的该介电衬垫还接触该埋入层。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其中所述杂质区接触该埋入层。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该埋入层的一掺杂浓度大于该杂质区的一掺杂浓度。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该埋入层的一厚度小于该基底的一上表面与该埋入层的一上表面之间的一距离。

10.一种半导体元件的制备方法，包括：

形成一埋入层在一基底中；

产生多个第一沟槽以及至少一第二沟槽在该基底中，并穿经该埋入层，其中所述第一沟槽的一深宽比大于该第二沟槽的一深宽比；

沉积一电极层以充填所述第一沟槽与该第二沟槽；

凹进该电极层，直到该埋入层暴露为止；以及

引入多个掺杂物进入该基底，以形成多个杂质区在该埋入层上。

11.如权利要求10所述的半导体元件的制备方法，还包括在凹进该电极层之后，沉积一盖层以覆盖该电极层。

12.如权利要求10所述的半导体元件的制备方法，其中该埋入层优先经由充填该第二沟槽的电极层暴露。

13.如权利要求10所述的半导体元件的制备方法，其中该埋入层通过植入所述掺杂物进入该基底所形成。

14.如权利要求10所述的半导体元件的制备方法，还包括：

在产生所述第一沟槽与该第二沟槽之后，保型地沉积一介电膜在暴露的基底上；以及

保型地沉积一扩散阻障层在该介电膜上。

15.如权利要求14所述的半导体元件的制备方法，其中产生所述第一沟槽与该第二沟槽的步骤，包括：

形成一牺牲层，该牺牲层包括多个第一开孔以及至少一第二开孔，以暴露该基底的一上表面的一些部分；

蚀刻该基底经由所述第一开孔与该第二开孔，以形成所述第一沟槽与该第二沟槽；以及

在沉积该电极层之后，移除该牺牲层。