[发明专利]一种具有增强可靠性的碳化硅功率MOSFET器件

权利要求书

1.一种增强可靠性的碳化硅功率MOSFET器件，所述碳化硅功率MOSFET器件为纵型器件，包括衬底、位于衬底上方的碳化硅区域和位于碳化硅区域内的源极区域、位于源极区域内的体区，所述碳化硅功率MOSFET器件包括：多个增强可靠性元胞和多个传统碳化硅MOSFET元胞，所述多个增强可靠性元胞和多个传统碳化硅MOSFET元胞呈多边形或圆形排布于所述碳化硅功率MOSFET器件内，其中所述传统碳化硅MOSFET元胞的相邻体区之间包括独立的JFET区域，传统碳化硅MOSFET元胞的所述源极区域位于所述JFET区域两侧，所述源极区域中相邻的体区连为一体。

2.如权利要求1所述的碳化硅功率MOSFET器件，其中当所述多个增强可靠性元胞和多个传统碳化硅MOSFET元胞呈多边形排布于所述碳化硅功率MOSFET器件内时，所述增强可靠性元胞的体区连接位置位于多边形的顶角。

3.如权利要求1所述的碳化硅功率MOSFET器件，其中当所述多个增强可靠性元胞和多个传统碳化硅MOSFET元胞呈多边形排布于所述碳化硅功率MOSFET器件内时，所述JFET区域位于相邻多边形的距离最近的两条边之间。

4.如权利要求1所述的碳化硅功率MOSFET器件，其中当所述多个增强可靠性元胞和多个传统碳化硅MOSFET元胞呈多边形排布于所述碳化硅功率MOSFET器件内时，部分位于多边形顶角位置的元胞是增强可靠性元胞，其余位于多边形顶角位置的元胞是传统碳化硅功率MOSFET元胞。

5.如权利要求1所述的碳化硅功率MOSFET器件，其中当所述多个增强可靠性元胞和多个传统碳化硅MOSFET元胞在所述碳化硅区域的表面处呈圆形排布于所述碳化硅功率MOSFET器件内时，所述JFET区域位于距离最近的两条圆弧之间。

6.如权利要求1所述的碳化硅功率MOSFET器件，其中所述多个增强可靠性元胞和传统碳化硅MOSFET元胞在多个方向上周期性排布。

7.如权利要求6所述的碳化硅功率MOSFET器件，其中所述多个增强可靠性元胞和传统碳化硅MOSFET元胞呈同一形状排布或不同形状排布。

8.一种增强可靠性的碳化硅功率MOSFET器件，所述碳化硅功率MOSFET器件为纵型器件，包括衬底、位于衬底上方的碳化硅区域、位于碳化硅区域内的源极区域和位于源极区域内的体区，所述碳化硅功率MOSFET器件包括：多个增强可靠性元胞和多个传统碳化硅MOSFET元胞，所述多个增强可靠性元胞和多个传统碳化硅MOSFET元胞在所述碳化硅区域的表面处呈八边形或四边形排布于所述碳化硅功率MOSFET器件内，其中所述传统碳化硅MOSFET元胞的相邻体区之间包括独立的JFET区域，传统碳化硅MOSFET元胞的所述源极区域位于所述JFET区域两侧，所述源极区域中相邻的体区连为一体。

9.如权利要求8所述的碳化硅功率MOSFET器件，其中所述源极区域呈四边形排布于八边形之间的间隙。

10.如权利要求8所述的碳化硅功率MOSFET器件，其中所述增强可靠性元胞的体区连接位置位于八边形或者四边形顶角，所述JFET区域位于相邻八边形的距离最近的两条边之间或者位于相邻八边形和四边形距离最近的两条边之间。