[发明专利]一种碳化硅微管检测装置及方法

说明书

本发明公开了一种碳化硅微管检测装及方法置，所述装置包括：相机成像装置、光源控制器、起偏器和验偏器，通过光源控制器控制不同的光源经过半反射镜偏折后，通过起偏器和验偏器后照射被测物，生成不同的图像，所述相机成像装置采集图像，判断被测物是否存在瑕疵。本发明解决了现有碳化硅微管质量检测效果不佳，导致良品率低的问题。

技术领域

本发明涉及半导体衬底片检测技术领域，具体涉及一种碳化硅微管检测装置及方法。

背景技术

目前碳化硅衬底片晶体材料会在生产过程中产生微管瑕疵，从而影响到器件良品率。因此行业里会采用相应的检测方法对其进行检测，常用的方法有激光散射法和偏振透射法。

激光散射法的原理为：通过激光光束照射到被检测晶圆平整表面，当激光照射到下凹或者凸起的瑕疵时候，就会发生散射，通过收集和分析散射信号，来判断瑕疵类型；但是微管为贯穿晶圆衬底的下陷形瑕疵，与坑点非贯穿型下陷瑕疵产生的散射信号比较相似，特征不非常明显，因此会造成一部分微管无法很好的被区分开来。

偏光透射法的原理为微管的形成会在其周围产生应力区，因此通过十字交叉的偏振透射光可以观察到蝴蝶状亮斑。但是有些非微管的晶体应力区也会出现类似微管的亮斑，所以在偏振透射模式下不易被区分。虽然微管相对于应力区，会在中心区域有个深色的点为微管开口，但由于蝴蝶状亮斑的照耀，有时候不是非常容易看清。所以需要一种装置能够准确判断碳化硅微管是否出现瑕疵。

发明内容

为此，本发明提供一种碳化硅微管检测装置及方法，以解决现有碳化硅微管质量检测效果不佳，导致良品率低的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

根据本发明的第一方面，一种碳化硅微管检测装置，其特征在于，所述装置包括：相机成像装置、光源控制器、起偏器和验偏器，通过光源控制器控制不同的光源经过半反射镜偏折后，通过起偏器和验偏器后照射被测物，生成不同的图像，所述相机成像装置采集图像，判断被测物是否存在瑕疵。

进一步地，所述光源控制器连接有第一光源和第二光源，通过光源控制器能够分别控制第一光源和第二光源发光或熄灭。

进一步地，所述第二光源照射在第二半反射镜上，所述第二半反射镜的反射面向外倾斜，将光束偏折90度，第二半反射镜上方设置有起偏器。

进一步地，所述起偏器将光线变为偏正光，起偏器上方设置有第一半反射镜，第一半反射镜上方设置有被测物，偏正光穿过第一半反射镜照射被测物。

进一步地，所述相机成像装置设置在被测物上方，被测物与相机成像装置之间安装有验偏器，通过相机成像装置采集在偏正光照射下的被测物成像图片。

进一步地，所述第二光源关闭，第一光源打开，光束照射在第一半反射镜上，第一半反射镜向上倾斜将光束偏折90度，光束直接照射被测物。

进一步地，所述相机成像装置采集正常非偏振光照射下的被测物成像图片。

进一步地，所述被测物设置在起偏器与第一半反射镜之间，第一半反射镜的反射面向内倾斜，第二光源的光束经过第二半反射镜偏折后经过起偏器照射被测物，形成偏振投射下的图像。

进一步地，所述第一半反射镜将第一光源的光束向下偏折90度，照射被测物，经过被测物反射，相机成像系统采集到非偏振光照射下的被测物成像图片。

根据本发明的第二方面公开了一种碳化硅微管检测方法，所述方法为：

光源控制器控制第二光源发光，光束照射到第二半反射镜；

第二半反射镜将光束偏折90度，向上照射至起偏器；

起偏器将光束变为偏正光，偏正光穿过第一半反射镜，照射被测物；