[发明专利]芯片的转移方法

权利要求书

1.一种芯片的转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供第一衬底，所述第一衬底的第一侧包括功能区域和非功能区域，所述功能区域具有芯片，在所述非功能区域形成第一金属层，并在所述功能区域上形成第一绝缘介质层；

提供第二衬底，所述第二衬底的第一侧具有与所述非功能区域对应的第一键合区域以及与所述功能区域对应的第二键合区域，在所述第一键合区域上形成第二金属层，并在所述第二键合区域上形成第二绝缘介质层；

将所述第一金属层与所述第二金属层键合形成第一键合结构，并将所述第一绝缘介质层与所述第二绝缘介质层键合形成第二键合结构；

将所述第一衬底从所述第二衬底的第一侧剥离，并去除所述第一键合结构，以使所述芯片转移至所述第二衬底。

2.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于，

所述第一金属层具有远离所述第一衬底的第一金属表面，所述第一金属表面与所述第一衬底之间的最大距离为H₁，所述第一绝缘介质层具有远离所述第一衬底的第一介质表面，所述第一介质表面与所述第一衬底之间的最大距离为H₂；

所述第二金属层具有远离所述第二衬底的第二金属表面，所述第二金属表面与所述第二衬底之间的最大距离为H₃，所述第二绝缘介质层具有远离所述第二衬底的第二介质表面，所述第二介质表面与所述第二衬底之间的最大距离为H₄；

H₁+H₃＝H₂+H₄。

3.如权利要求2所述的转移方法，其特征在于，H₁＝H₃，且H₂＝H₄。

4.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第一金属层包括多个第一子金属层，各所述第一子金属层独立地位于所述第一绝缘介质层的任意一侧，所述第二金属层包括多个第二子金属层，各所述第二子金属层独立地位于所述第二绝缘介质层的任意一侧，位于所述第一绝缘介质层的至少一侧的所述第一子金属层与位于所述第二绝缘介质层的至少一侧的所述第二子金属层对应设置。

5.如权利要求4所述的转移方法，其特征在于，所述第一子金属层对称地设置于所述第一绝缘介质层的至少一组相对的两侧，且所述第二子金属层对称地设置于所述第二绝缘介质层的至少一组相对的两侧。

6.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述第一金属层环绕所述第一绝缘介质层。

7.如权利要求1至6中任一项所述的转移方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料相同。

8.如权利要求1至6中任一项所述的转移方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层的材料独立地选自金、银和铟中的任一种或多种。

9.如权利要求1至6中任一项所述的转移方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层和所述第二绝缘介质层的材料相同。

10.如权利要求1至6中任一项所述的转移方法，其特征在于，所述第一绝缘介质层和/或所述第二绝缘介质层为硅氧化物。