[发明专利]芯片的转移方法

说明书

本发明涉及一种芯片的转移方法。该转移方法包括以下步骤：提供第一衬底，其第一侧包括具有芯片的功能区域和非功能区域，在非功能区域形成第一金属层，并在功能区域上形成覆盖芯片的第一绝缘介质层；提供第二衬底，第二衬底的第一侧具有与非功能区域对应的第一键合区域以及与功能区域对应的第二键合区域，在第一键合区域上形成第二金属层，并在第二键合区域上形成第二绝缘介质层；将第一金属层与第二金属层键合形成第一键合结构，并将第一绝缘介质层与第二绝缘介质层键合形成第二键合结构；将第一衬底从第二衬底的第一侧剥离，并去除第一键合结构，以使芯片转移至第二衬底。通过将金属键合和绝缘介质材料键合相结合，提高了键合后的芯片良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种芯片的转移方法。

背景技术

目前，微型发光器件等芯片转移工艺通常采用单一的绝缘介质进行键合工艺，来实现第一晶圆上芯片向第二晶圆的转移，上述绝缘介质通常为二氧化硅(SiO₂)。

然而，在目前的晶圆键合过程中，由于晶圆的翘曲度较大，会导致键合后的晶圆受到较大的应力作用，从而导致晶圆键合过程中的工艺条件难以控制，最终影响键合后芯片的良率降低。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片的转移方法，旨在解决现有技术中的芯片转移工艺导致键合后芯片的良率降低的问题。

一种芯片的转移方法，其包括以下步骤：

提供第一衬底，第一衬底的第一侧包括功能区域和非功能区域，功能区域具有芯片，在非功能区域形成第一金属层，并在功能区域上形成第一绝缘介质层；

提供第二衬底，第二衬底的第一侧具有与非功能区域对应的第一键合区域以及与功能区域对应的第二键合区域，在第一键合区域上形成第二金属层，并在第二键合区域上形成第二绝缘介质层；

将第一金属层与第二金属层键合形成第一键合结构，并将第一绝缘介质层与第二绝缘介质层键合形成第二键合结构；

将第一衬底从第二衬底的第一侧剥离，并去除第一键合结构，以使芯片转移至第二衬底。

相比于现有技术中仅采用单一绝缘介质进行键合的芯片转移工艺，本发明中通过在芯片转移工艺中同时采用金属与绝缘介质材料进行衬底间的键合，由于金属键合不仅具有较大的工艺窗口对工艺要求较低，而且在键合时结合力大，键合压力较小，能够具有优异的键合良率，从而通过将金属键合和绝缘介质材料键合相结合，有效地降低了衬底的翘曲，而且降低了键合工艺的难度，进而通过提高衬底之间的键合良率，提高了键合后的芯片良率。

可选地，第一金属层具有远离第一衬底的第一金属表面，第一金属表面与第一衬底之间的最大距离为H₁，第一绝缘介质层具有远离第一衬底的第一介质表面，第一介质表面与第一衬底之间的最大距离为H₂；第二金属层具有远离第二衬底的第二金属表面，第二金属表面与第二衬底之间的最大距离为H₃，第二绝缘介质层具有远离第二衬底的第二介质表面，第二介质表面与第二衬底之间的最大距离为H₄；H₁+H₃＝H₂+H₄。通过使第一金属层、第二金属层、第一绝缘介质层和第二绝缘介质层之间满足上述的厚度关系，能够在将第一衬底和第二衬底的键合工艺中，使第一金属层与第二金属层之间以及第一绝缘介质层与第二绝缘介质层之间的键合压力更为均匀，键合良率进一步提高，且键合后第一衬底能够与第二衬底平行，有利于后续第一衬底的剥离工艺。上述相等并不是绝对的相等，而是可以在一定的误差允许范围内变化，比如10％左右的差异。