[发明专利]三维存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种三维3D存储器件，包括：

衬底；

所述衬底上方的具有双面阶梯形的栅电极；

所述栅电极上的阻隔层；

在所述阻隔层上各自横向延伸的多个分立的电荷捕获层，其中，所述多个电荷捕获层分别对应于所述栅电极的所述双面阶梯形的阶梯设置。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，

所述多个电荷捕获层上的隧穿层；以及

在所述隧穿层上各自横向延伸的多个分立的沟道层，其中，所述多个沟道层分别对应于所述双面阶梯形的所述阶梯设置。

3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述双面阶梯形至少具有位于三个层级处的五个阶梯。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述栅电极的所述双面阶梯形的所述阶梯在横向方向上是对称的。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述阻隔层是连续的并且至少沿着所述栅电极的顶表面设置。

6.根据权利要求2或3所述的3D存储器件，其中，所述隧穿层是连续的并且至少沿着每个所述电荷捕获层的顶表面设置。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，

所述多个电荷捕获层包括顶部电荷捕获层、一组左侧电荷捕获层和一组右侧电荷捕获层；并且

所述顶部电荷捕获层横向设置在所述一组左侧电荷捕获层和所述一组右侧电荷捕获层之间。

8.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，每一对所述左侧电荷捕获层和所述右侧电荷捕获层设置在相同的层级处，所述层级位于设置所述顶部电荷捕获层的层级下方。

9.根据权利要求7所述的3D存储器件，其中，

所述多个沟道层包括顶部沟道层、一组左侧沟道层和一组右侧沟道层；并且

所述顶部沟道层横向设置在所述一组左侧沟道层和所述一组右侧沟道层之间。

10.根据权利要求9所述的3D存储器件，其中，每一对所述左侧沟道层和所述右侧沟道层设置在相同的层级处，所述层级位于设置所述顶部沟道层的层级下方。

11.根据权利要求9所述的3D存储器件，包括顶部存储单元、一组左侧存储单元和一组右侧存储单元，其中，

所述顶部存储单元包括所述顶部电荷捕获层、所述顶部沟道层、所述阻隔层的部分和所述隧穿层的部分；

所述一组左侧存储单元中的每一个包括所述一组左侧电荷捕获层中相应的一个、所述一组左侧沟道层中相应的一个、所述阻隔层的相应部分和隧穿层的相应部分；并且

所述一组右侧存储单元中的每一个包括所述一组右侧电荷捕获层中相应的一个、所述一组右侧沟道层中相应的一个、所述阻隔层的相应部分和隧穿层的相应部分。

12.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，所述阻隔层包括氧化硅，每个所述电荷捕获层包括氮化硅，并且所述隧穿层包括氧化硅。

13.根据权利要求2所述的3D存储器件，其中，每个所述沟道层包括多晶硅。

14.一种三维3D存储器件，包括：

衬底；

所述衬底上方的具有双面阶梯形的栅电极；

所述栅电极上的阻隔层；

在所述阻隔层上各自横向延伸的多个分立的电荷捕获层，其中，所述多个电荷捕获层分别对应于所述栅电极的所述双面阶梯形的阶梯设置。

15.根据权利要求14所述的3D存储器件，其中，

所述多个电荷捕获层上的隧穿层；以及

所述隧穿层上的沟道层。