[发明专利]阵列基板及制备方法、显示面板及制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 202011515437.0 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112596316B 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 董殿正;崔晓鹏;陈维涛;张强;王光兴;林万;黄海琴;许文鹏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 王迪
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 制备 方法 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:衬底基板;所述衬底基板包括:显示区以及所述显示区之外的周边区;所述周边区包括:去除区,以及位于所述去除区靠近所述显示区一侧的第一保留区;

所述阵列基板还包括:位于所述衬底基板之上的多个从所述显示区延伸到所述去除区的引线电极;

在所述第一保留区以及与所述第一保留区相邻的至少部分所述去除区,每一所述引线电极包括:交替阵列排布的多个第一电极部和多个第二电极部;所述第一电极部和所述第二电极部电连接;

所述第一电极部和所述第二电极部的表面剥离力不同。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,多个所述第一电极部在所述衬底基板上的正投影的图案与多个所述第二电极部在所述衬底基板上的正投影的图案互补。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,在所述衬底基板上,所述第一电极部的正投影的形状和所述第二电极部的正投影的形状均为矩形。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,各所述矩形的长度相等,各所述矩形的宽度相等。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,在所述引线电极的排列方向上,每一所述引线电极的宽度为70微米~100微米,每一所述第一电极部以及每一所述第二电极部的宽度均为5微米~10微米。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述周边区还包括:位于所述第一保留区和所述显示区之间的第二保留区;

在所述第二保留区,所述引线电极包括与所述第一电极部和所述第二电极部接触的第三电极部。

7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极部的材料包括的导电材料与所述第二电极部包括的导电材料不相同;

所述第三电极部包括的导电材料与所述第一电极部包括的导电材料相同。

8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

提供衬底基板,所述衬底基板包括:显示区以及所述显示区之外的周边区;所述周边区包括:去除区,以及位于所述去除区靠近所述显示区一侧的第一保留区;

在所述衬底基板之上形成从所述显示区延伸到所述去除区的引线电极;其中,在所述第一保留区以及与所述第一保留区相邻的至少部分所述去除区,每一所述引线电极包括:交替排列的多个第一电极部和多个第二电极部;所述第一电极部和所述第二电极部电连接;所述第一电极部和所述第二电极部的表面剥离力不同。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,在所述衬底基板之上形成从所述显示区延伸到所述去除区的引线电极,具体包括:

在所述衬底基板之上沉积第一导电材料,形成第一导电层;

对所述第一导电层进行图形化工艺,在所述第一保留区以及与所述第一保留区相邻的至少部分所述去除区形成多个所述第一电极部的图案;其中,相邻所述第一电极部之间具有第一开口;

沉积第二导电材料,并在所述第一开口形成所述第二电极部的图案。

10.一种液晶显示面板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

提供对向基板以及根据权利要求1~7任一项所述的阵列基板;

采用对盒工艺将所述对向基板和所述阵列基板对盒,并在所述阵列基板和所述对向基板之间填充液晶;

采用切割工艺和研磨工艺去除所述去除区的阵列基板和所述对向基板。

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