[发明专利]用于改进功率输送的具有专用金属层的EMIB架构在审
申请号: | 202011516250.2 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN113363248A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 谢建勇;S·沙兰;H-T·陈 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 丁辰;李啸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 改进 功率 输送 具有 专用 金属 emib 架构 | ||
1.一种桥,包括:
衬底;
在所述衬底之上的布线堆叠,其中所述布线堆叠包括:
第一布线层,其中所述第一布线层中的各个第一布线层具有第一厚度;以及
第二布线层,其中所述第二布线层具有大于所述第一厚度的第二厚度。
2.根据权利要求1所述的桥,其中,所述第二布线层包括多个子层,其中所述子层中的各个子层具有在1μm与4μm之间的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的桥,其中,存在至少四个第一布线层。
4.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述第二厚度是所述第一厚度的至少两倍。
5.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述第二厚度大约为4μm或更大。
6.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述第二布线层位于所述第一布线层与所述衬底之间。
7.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述第一布线层位于所述第二布线层与所述衬底之间。
8.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述第二布线层位于一对第一布线层之间。
9.根据权利要求1或2所述的桥,还包括:
多个焊盘,所述多个焊盘在所述布线堆叠之上。
10.根据权利要求9所述的桥,其中,所述多个焊盘中的第一焊盘通过第一通孔而被电耦合至所述第二布线层,并且所述多个焊盘中的第二焊盘通过第二通孔而被电耦合至所述第二布线层,并且其中所述第一焊盘通过路径而被电耦合至所述第二焊盘,所述路径包括所述第一通孔、所述第二布线层、以及所述第二通孔。
11.根据权利要求10所述的桥,其中,所述多个焊盘中的第三焊盘位于所述第一焊盘和所述第二焊盘之间。
12.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述第二布线层包括第一段和第二段,并且其中所述第一段与所述第二段电隔离。
13.根据权利要求1或2所述的桥,其中,所述第二布线层是网状。
14.一种电子封装,包括:
封装衬底;
嵌入在所述封装衬底中的桥,其中所述桥包括:
衬底;
在所述衬底之上的布线堆叠,其中所述布线堆叠包括具有第一厚度的第一布线层和具有第二厚度的第二布线层,其中所述第二厚度大于所述第一厚度;
电耦合至所述桥的第一管芯;以及
电耦合至所述桥的第二管芯,其中所述第一管芯通过所述第一布线层而被电耦合至所述第二管芯。
15.根据权利要求14所述的电子封装,进一步包括用于所述第一管芯的第一功率轨。
16.根据权利要求15所述的电子封装,其中,所述第二布线层是所述第一功率轨的一部分。
17.根据权利要求16所述的电子封装,其中,所述第一功率轨包括所述第一管芯中的金属层。
18.根据权利要求16所述的电子封装,其中,所述第一功率轨向多个凸起馈送功率,所述多个凸起将所述第一管芯连接到所述桥。
19.根据权利要求18所述的电子封装,其中,所述多个凸起中的各个凸起通过所述布线堆叠中的通孔而被电耦合至所述第二布线层。
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