[发明专利]用于改进功率输送的具有专用金属层的EMIB架构

说明书

本文公开的实施例包括具有桥的电子封装，所述桥包括改进的功率输送架构。在实施例中，桥包括衬底和在衬底之上的布线堆叠。在实施例中，布线堆叠包括第一布线层和第二布线层，其中第一布线层中的各个第一布线层具有第一厚度，并且其中第二布线层具有大于第一厚度的第二厚度。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体装置，并且更特定地涉及用于改进的功率输送的嵌入式多管芯互连桥（EMIB）架构。

背景技术

使用嵌入式多管芯互连桥（EMIB）架构的封装通过将桥（例如，硅桥）嵌入在封装衬底中来提供单个封装上的异构管芯之间的高密度互连。虽然EMIB架构提供了许多优点，包括每毫米的高IO计数和小面积，但是EMIB架构也为进一步的性能改进留出了空间

用于性能改进的一个此类领域是桥防止从下面接入上覆管芯。如此，功率输送路径需要围绕嵌入式桥通过。在没有直接竖直功率输送路径的情况下，电流被迫沿着封装衬底表面之上的迹线水平行进。这导致较高的电阻和AC电感，尤其是当功率供应不能沿多个边缘被馈送到管芯中时。

一种提议的解决方案是利用穿过桥的穿桥通孔（例如，穿硅通孔（TSV））。虽然提供了直接竖直接入点，但是将TSV添加到桥的制造会增加显著成本。

附图说明

图1A是具有EMIB架构的电子封装的截面图，该EMIB架构依赖于封装表面上的迹线来向管芯供应功率。

图1B是封装衬底的凸起图的平面图，其示出了沿着一对相邻行通过以便输送功率并因而限制凸起布局设计的迹线。

图2A是根据实施例的具有附加布线层的EMIB架构的截面图，所述附加布线层在衬底和信号层之间具有增加的厚度。

图2B是根据实施例的具有附加布线层的EMIB架构的截面图，所述附加布线层在信号层上方具有增加的厚度。

图2C是根据实施例的具有附加布线层的EMIB架构的截面图，所述附加布线层在信号层之间具有增加的厚度。

图2D是根据实施例的具有附加布线层的EMIB架构的截面图，所述附加布线层在信号层上方和下方具有增加的厚度。

图2E是根据实施例的具有分段附加布线层的EMIB架构的截面图，所述分段附加布线层具有增加的厚度。

图3A是根据实施例的具有EMIB架构的电子封装的截面图，所述EMIB架构包括具有用于功率输送的附加布线层的EMIB。

图3B是根据实施例的电子封装的凸起图的平面图，其示出了定位功率凸起的灵活性。

图3C是根据实施例的电容器的截面图，所述电容器被部署在桥中并且所述电容器包括作为电极的接地参考布线层的功率输送布线层。

图3D是根据实施例的具有EMIB架构的电子封装的截面图，所述EMIB架构包括具有用于功率输送的附加布线层的EMIB，其中布线层被分段以提供多个不同的功率轨。

图4是根据实施例的电子系统的截面图，所述电子系统包括具有EMIB架构的电子封装，所述EMIB架构具有用于功率输送的附加布线层。

图5是根据实施例构建的计算装置的示意图。

具体实施方式

本文描述的是根据各种实施例的电子封装，所述电子封装具有用于改进的功率输送的嵌入式多管芯互连桥（EMIB）架构。在以下描述中，将使用本领域技术人员通常采用以向本领域其它技术人员传达其工作的实质的术语来描述说明性实现的各个方面。然而，对于本领域技术人员将明白的是，本发明可以仅利用所描述方面中的一些方面来实践。出于解释的目的，阐述了具体的数字、材料和配置，以便提供对说明性实现的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将明白的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本发明。在其它实例中，省略或简化了公知特征，以免使说明性实现难以理解。