[发明专利]包含多个装置层级上的数据线的存储器装置在审
申请号: | 202011516933.8 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN113012740A | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | V·莫斯基亚诺;P·泰萨里欧;A·叶;N·考希克 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/08;G11C16/26;G11C11/4063 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 装置 层级 数据线 存储器 | ||
1.一种设备,其包括:
第一存储器单元串的第一柱;
第二存储器单元串的第二柱;
第一导电结构,其沿第一方向延伸,所述第一导电结构定位在所述第一柱上方且与其电接触;
第二导电结构,其沿所述第一方向延伸,所述第二导电结构定位在所述第二柱上方且与其电接触;
选择栅极,其耦合到所述第一及第二存储器单元串;
第一数据线,其定位在所述设备的第一层级上并沿第二方向延伸,所述第一数据线定位在所述第一导电结构上方且与所述第一导电结构电接触;及
第二数据线,其定位在所述设备的第二层级上并沿所述第二方向延伸,所述第二数据线定位在所述第二导电结构上方且与所述第二导电结构电接触。
2.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述第一柱包含第一柱触点,所述第一柱触点位于距所述第一数据线的第一垂直距离处;且
所述第二柱包含第二柱触点,所述第二柱触点位于距所述第二数据线的第二垂直距离处,且所述第一距离小于所述第二距离。
3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:
第一导电触点,其定位在所述第一导电结构与所述第一柱之间且接触所述第一导电结构及所述第一柱;及
第二导电触点,其定位在所述第二导电结构与所述第二柱之间且接触所述第二导电结构及所述第二柱。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一数据线包含沿所述第一方向的厚度、沿第三方向的宽度,且所述宽度小于所述厚度。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一数据线包含沿所述第一方向的厚度,沿第三方向的宽度,且所述宽度大于所述厚度。
6.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:
第一额外存储器单元串的第一额外柱;
第二额外存储器单元串的第二额外柱;
第一额外导电结构,其沿所述第一方向延伸且与所述第一额外柱电接触;
第二额外导电结构,其沿所述第一方向延伸且与所述第二额外柱电接触,其中:
所述第一数据线定位在所述第一额外导电结构上方且与所述第一额外导电结构电接触;且
所述第二数据线定位在所述第二额外导电结构上方且与所述第二额外导电结构电接触。
7.一种设备,其包括:
第一数据线,其定位在存储器装置的第一层级上;
第二数据线,其定位在所述存储器装置的第二层级上;
第一存储器单元串,所述第一存储器单元串中的每一个耦合到所述第一数据线及所述第二数据线中的相应数据线;
第二存储器单元串,所述第二存储器单元串中的每一个耦合到所述第一数据线及所述第二数据线中的相应数据案;
第一选择栅极,其耦合到所述第一存储器单元串;
第二选择栅极,其耦合到所述第二存储器单元串且与所述第一选择栅极电分离;及
存取线,其由所述第一存储器单元串及所述第二存储器单元串共享。
8.根据权利要求7所述的设备,其进一步包括耦合到所述第一存储器单元串及所述第二存储器单元串的第三选择栅极。
9.根据权利要求7所述的设备,其进一步包括:
第一导电结构,其在所述第一数据线与所述第一存储器单元串之间沿一方向延伸;及
第二导电结构,其在所述第二数据线与所述第二存储器单元串之间沿一方向延伸,其中所述第一导电结构中的每一个具有比所述第二导电结构中的每一个的长度小的长度。
10.根据权利要求9所述的设备,其进一步包括导电触点,其中所述第一存储器单元串及所述第二存储器单元包含柱,所述柱包含柱触点,且所述导电触点中的每一个定位在所述柱触点中的相应柱触点与所述第一导电结构中的相应导电结构之间且接触所述柱触点中的相应柱触点与所述第一导电结构中的相应导电结构。
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