[发明专利]包含多个装置层级上的数据线的存储器装置

说明书

本申请案涉及包含多个装置层级上的数据线的存储器装置。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一个包含：第一存储器单元串的第一柱；第二存储器单元串的第二柱；第一导电结构，其沿第一方向延伸，所述第一导电结构定位在所述第一柱上方且与其电接触；第二导电结构，其沿所述第一方向延伸，所述第二导电结构定位在所述第二柱上方且与其电接触；选择栅极，其耦合到所述第一及第二存储器单元串；第一数据线，其定位在所述设备的第一层级上且沿第二方向延伸，所述第一数据线定位在所述第一导电结构上方并与所述第一导电结构电接触；及第二数据线，其定位在所述设备的第二层级上，且沿所述第二方向延伸，所述第二数据线定位在所述第二导电结构上方且与所述第二导电结构电接触。

技术领域

本申请案大体上涉及存储器装置。

背景技术

存储器装置广泛用于计算机及许多电子物项中。存储器装置通常具有用以存储信息的许多存储器单元及用以载运信息(以信号形式)往返存储器单元的数据线(例如，位线)。数据线通常一个接一个地形成在存储器装置的单层级(例如，层)中。随着针对给定装置大小对存储器单元密度需求的增加，数据线的数目也可增加，以适应增加的存储器单元容量。在一些应用中，可期望较小的装置大小，从而导致相邻数据线之间的距离减小。给定区域的数据线的数目的增加或相邻数据线之间的距离的减少可导致相邻数据线之间的不良耦合电容也增加。不良耦合电容的增加可使装置性能降级。

发明内容

在一个方面中，本申请案提供一种设备，其包括：第一存储器单元串的第一柱；第二存储器单元串的第二柱；第一导电结构，其沿第一方向延伸，所述第一导电结构定位在所述第一柱上方且与其电接触；第二导电结构，其沿所述第一方向延伸，所述第二导电结构定位在所述第二柱上方且与其电接触；选择栅极，其耦合到所述第一及第二存储器单元串；第一数据线，其定位在所述设备的第一层级上并沿第二方向延伸，所述第一数据线定位在所述第一导电结构上方且与所述第一导电结构电接触；及第二数据线，其定位在所述设备的第二层级上并沿所述第二方向延伸，所述第二数据线定位在所述第二导电结构上方且与所述第二导电结构电接触。

在另一方面中，本申请案提供一种设备，其包括：第一数据线，其定位在存储器装置的第一层级上；第二数据线，其定位在所述存储器装置的第二层级上；第一存储器单元串，所述第一存储器单元串中的每一个耦合到所述第一数据线及所述第二数据线中的相应数据线；第二存储器单元串，所述第二存储器单元串中的每一个耦合到所述第一数据线及所述第二数据线中的相应数据案；第一选择栅极，其耦合到所述第一存储器单元串；第二选择栅极，其耦合到所述第二存储器单元串且与所述第一选择栅极电分离；及存取线，其由所述第一存储器单元串及所述第二存储器单元串共享。

在另一方面中，本申请案提供一种方法，其包括：在存储器装置的第一存储器单元串的第一柱上方形成导电结构并使其与所述第一柱中的相应柱电接触，所述第一存储器单元串包含定位在所述存储器装置的不同层级上的存储器单元；在形成第一导电结构之后在所述存储器装置的第二存储器单元串的第二柱上方形成第二导电结构，使得所述第二导电结构与所述第二柱中的相应柱电接触，所述第二存储器单元串包含定位在所述存储器装置的所述不同层级上的存储器单元；在所述存储器装置的第一层级上形成第一数据线，并使其与所述第一导电结构中的所述相应导电结构电接触；及在所述存储器装置的第二层级上形成第二数据线，并使其与所述第二导电结构中的相应导电结构电接触。

附图说明

图1根据本文中所描述的一些实施例展示呈包含数据线的存储器装置形式的设备的框图。

图2根据本文中所描述的一些实施例展示包含存储器阵列(例如，存储器单元区域)及数据线的存储器装置的一部分的示意图。

图3根据本文中所描述的一些实施例展示图2的存储器装置的结构的俯视图。

图4根据本文中所描述的一些实施例展示包含定位在(例如，形成在)存储器装置的多个层级上的数据线的图3的结构存储器装置的一部分的等距视图(例如，透视图)。