[发明专利]高可靠性NMOS阵列结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202011517465.6 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112635546B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | 邓晓军 | 申请（专利权）人： | 无锡市晶源微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 张彩珍 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 可靠性 nmos 阵列 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种高可靠性NMOS阵列结构，包括P型衬底，所述P型衬底上方设有P阱区，其特征在于：
P阱区上部间隔设有多个P+注入扩散区，相邻两个P+注入扩散区之间设有多个N+注入扩散区，所述N+注入扩散区之间以及N+注入扩散区的下方通过P阱区连通；
所述P+注入扩散区的下方设有PB层和ZP层，所述PB层和ZP层的两端和其上方的P+注入扩散区两端对齐设置；
所述ZP层位于所述PB层的下方；
P阱区上部间隔设有3个P+注入扩散区，相邻的两个P+注入扩散区之间均设有3个N+注入扩散区；所述3个N+注入扩散区间隔设置，依次为第一至第三N+注入扩散区，第一、第三N+注入扩散区作为NMOS阵列结构的源极，第二N+注入扩散区作为NMOS阵列结构的漏极；
对应第一与第二N+注入扩散区之间的上方以及第二与第三N+注入扩散区之间的上方均设有栅氧化层；
所述栅氧化层上方设有多晶硅，所述多晶硅作为NMOS阵列结构的栅极。
2.根据权利要求1所述的高可靠性NMOS阵列结构，其特征在于：所述P+注入扩散区和N+注入扩散区的上方设有外氧化层，所述外氧化层内设有接触通孔，对应每个P+注入扩散区和N+注入扩散区的上方均设有接触通孔，金属布线穿过接触通孔设置，所述金属布线底端与所述P+注入扩散区或N+注入扩散区相接，所述金属布线顶端作为NMOS阵列结构的引线端。
3.根据权利要求2所述的高可靠性NMOS阵列结构，其特征在于：所述外氧化层内，对应每个多晶硅的上方均设有接触通孔，金属布线穿过接触通孔设置，所述金属布线底端与所述多晶硅相接，所述金属布线顶端作为NMOS阵列结构的栅极引线端。
4.根据权利要求3所述的高可靠性NMOS阵列结构，其特征在于：P+注入扩散区的引线端作为P型衬底引线端；P+注入扩散区的引线端和与其相邻的N+注入扩散区对应的引线端相连接。
5.一种高可靠性NMOS阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在P型衬底上覆盖一层P阱区；
在P阱区上部间隔形成多个P+注入扩散区，在所述P+注入扩散区的下方形成PB层或ZP层，所述多个P+注入扩散区同步加工作业完成；
在相邻两个P+注入扩散区之间形成多个N+注入扩散区，所述多个N+注入扩散区同步加工作业完成；
还包括以下步骤：
P阱区上部间隔形成3个P+注入扩散区，相邻的两个P+注入扩散区之间均形成3个N+注入扩散区；所述3个N+注入扩散区间隔设置，依次为第一至第三N+注入扩散区；第一、第三N+注入扩散区作为NMOS阵列结构的源极，第二N+注入扩散区作为NMOS阵列结构的漏极；
对应第一和第二N+注入扩散区之间的上方、第二和第三N+注入扩散区之间的上方均形成栅氧化层，所述栅氧化层上方设置多晶硅；所述栅氧化层同步加工作业完成。
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