[发明专利]一种监控光刻机遮光片开口精度的标记及其使用方法在审
申请号: | 202011517587.5 | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN112612178A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 常欢;陆捷 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 监控 光刻 遮光 开口 精度 标记 及其 使用方法 | ||
1.一种监控光刻机遮光片开口精度的标记,其特征在于,至少包括:
设有图形区域和遮光带的光罩;所述图形区域为位于所述光罩中央的矩形区域;所述遮光带环绕于所述图形区域的四周;
分别设置于所述遮光带内外边缘的标记;其中所述内边缘为所述遮光带靠近所述图形区域的边,所述外边缘为所述遮光带远离所述图形区域的边;
光刻机台上两个相互配合形成矩形框的L型遮光片,所述遮光片将所述图形区域束缚其中用于控制所述光罩透光开口的大小;所述遮光带外边缘与所述图形区域的距离为所述光刻机台的精度规格Lμm;所述精度规则L的范围为:M≤L≤N,其中M、N为正整数;
位于所述遮光带的所述内边缘的所述标记与所述图形区域之间的距离为M/2μm;位于所述遮光带的所述外边缘的所述标记与所述图形区域之间的距离为N+100μm。
2.根据权利要求1所述的监控光刻机遮光片开口精度的标记,其特征在于:所述遮光带由分别位于所述图形区域上下左右四个位置的矩形组成。
3.根据权利要求1所述的用于在线监控光刻机遮光片开口精度的标记,其特征在于:所述遮光带的宽度为1.5mm。
4.根据权利要求1所述的监控光刻机遮光片开口精度的标记,其特征在于:所述遮光带外边缘与所述图形区域的距离为所述光刻机台的精度规格600μm。
5.根据权利要求1所述的监控光刻机遮光片开口精度的标记,其特征在于:所述精度规则L的范围为400~800μm。
6.根据权利要求1所述的监控光刻机遮光片开口精度的标记,其特征在于:位于所述遮光带的所述内边缘的所述标记与所述图形区域之间的距离为200μm。
7.根据权利要求1所述的监控光刻机遮光片开口精度的标记,其特征在于:位于所述遮光带的所述内边缘的所述标记与所述图形区域之间的距离为900μm。
8.根据权利要求1所述的监控光刻机遮光片开口精度的标记,其特征在于:所述L型遮光片的宽度为10cm。
9.一种根据权利要求1至9任意一项的监控光刻机遮光片开口精度的标记的使用方法,其特征在于:至少包括:
步骤一、提供所述光罩和设有L型遮光片的光刻机台;
步骤二、将所述遮光片束缚在所述图形区域周围进行曝光;
步骤三、对所述标记进行套刻精度量测;并判断位于所述遮光带内外边缘的标记是否被曝光:当位于所述遮光带内外边缘的标记均未被曝光时,则所述遮光片过遮挡;当遮光带内外边缘的标记均被曝光时,则所述遮光片产生漏光;当位于所述遮光带内边缘的标记被曝光,而位于所述遮光带外边缘的标记未被曝光时,则所述遮光片正常控制所述光罩透光开口的大小。
10.根据权利要求9的监控光刻机遮光片开口精度的标记的使用方法,其特征在于:步骤三中对所述标记进行套刻精度量测时,先对位于所述遮光带内边缘的标记进行量测,之后对位于所述遮光带外边缘的标记进行量测。
11.根据权利要求9的监控光刻机遮光片开口精度的标记的使用方法,其特征在于:步骤三中通过PCB编程设置判断位于所述遮光带内外边缘的标记是否被曝光:对于被曝光的标记记为1;对于未被曝光的标记记为0。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备