[发明专利]一种监控光刻机遮光片开口精度的标记及其使用方法

说明书

本发明提供一种监控光刻机遮光片开口精度的标记及其使用方法，设有图形区域和遮光带的光罩；遮光带环绕于图形区域的四周；设置于遮光带内外边缘的标记；光刻机上的遮光片，遮光片将图形区域束缚其中用于控制光罩透光开口的大小；遮光带外边缘与图形区域的距离为光刻机台的精度规格L；精度规则L的范围为：M≤L≤N；位于遮光带的内边缘的标记与图形区域之间的距离为M/2；位于遮光带的所述外边缘的所述标记与图形区域之间的距离为N+100μm。本发明通过在遮光带上增加套刻精度标记，可以在线时时监控，节省了人力和机时；有效地防止了遮光片开口过大或者过小导致的产品漏光或者过遮光情况；通过系统量测抓取，实现了自动化处理。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种用于在线监控光刻机遮光片开口精度的标记及方法。

背景技术

尼康光刻机通过控制Reticle Blind(ARB)的开口大小从而决定打在光罩(reticle)上图形的透光区域。

正常状况下ARB的开口通过精度进行监控，但是这种方法一来需要线下(offline)借机台去操作，然后到外观机台上肉眼观看，比较费时费力，二来就是精度监控是放在年度保养的项目，会出现延时效应，一旦ARB真出问题无法第一时间抓住，从而造成产品报废。

还有一种方法是当前工厂FAB使用比较多的，即手动外观机台上人为的看，但这也存在很大弊端，一来线上人员没有时间和经历每一卡每一片去看；二来就是产品多数会跳站，所以不能百分百确认，而且每一卡都这么做的话肯定会造成线上严重堆货。另外如果ARB出现很大的误差导致遮光或者漏光，从而影响到了整个切割道甚至图形区域，一般套刻精度(OVL)量测是可以抓的的，但是对于ARB小幅度的偏差，比如只是影响了部分切割道，其上的OVL标记依旧可以曝出来，而多次的ARB精度跳变，虽然图形区域未受影响，但是切割道的2/3已经被遮挡导致标记未被曝处，从而影响后层和WAT测试。

因此，需要提出一种新的方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种用于在线监控光刻机遮光片开口精度的标记及方法，用于解决现有技术中由于光刻机台遮光片过遮光或漏光而导致切割道或WAT测试点受影响的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种监控光刻机遮光片开口精度的标记，至少包括：

设有图形区域和遮光带的光罩；所述图形区域为位于所述光罩中央的矩形区域；所述遮光带环绕于所述图形区域的四周；

分别设置于所述遮光带内外边缘的标记；其中所述内边缘为所述遮光带靠近所述图形区域的边，所述外边缘为所述遮光带远离所述图形区域的边；

光刻机台上两个相互配合形成矩形框的L型遮光片，所述遮光片将所述图形区域束缚其中用于控制所述光罩透光开口的大小；所述遮光带外边缘与所述图形区域的距离为所述光刻机台的精度规格Lμm；所述精度规则L的范围为：M≤L≤N，其中M、N为正整数；

位于所述遮光带的所述内边缘的所述标记与所述图形区域之间的距离为M/2μm；位于所述遮光带的所述外边缘的所述标记与所述图形区域之间的距离为N+100μm。

优选地，所述遮光带由分别位于所述图形区域上下左右四个位置的矩形组成。

优选地，所述遮光带的宽度为1.5mm。

优选地，所述遮光带外边缘与所述图形区域的距离为所述光刻机台的精度规格600μm。

优选地，所述精度规则L的范围为400～800μm。

优选地，位于所述遮光带的所述内边缘的所述标记与所述图形区域之间的距离为200μm。

优选地，位于所述遮光带的所述内边缘的所述标记与所述图形区域之间的距离为900μm。