[发明专利]晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法及太阳能电池

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，其特征在于，所述晶硅太阳能电池镀多层膜过程中，先对硅片的一面镀多层膜，在每一层镀膜结束后进行氨气氛围的等离子体处理工序，具体的等离子体处理工序如下：每一层膜沉积结束后，向反应炉管中通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

再对硅片的另一面镀多层膜，在每一层镀膜结束后进行氨气氛围的等离子体处理工序，具体的等离子体处理工序如下：每一层膜沉积结束后，向反应炉管中通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，对以硅片进行氢钝化。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，其特征在于，每一次等离子体处理工序的处理参数如下：通入氨气的流量大于1slm，等离子体处理时间大于1秒，温度控制在350-500℃。

3.根据权利要求2所述的晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，其特征在于，每一次等离子体处理工序中，等离子体处理时间范围为5-300s。

4.根据权利要求2所述的晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，其特征在于，每一次等离子体处理工序中，通入氨气的流量范围为3-10slm。

5.根据权利要求2所述的晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，其特征在于，每一次等离子体处理工序中，镀膜设备的射频功率范围为5000-9000w，反应炉管内的气压范围为1000-2000mTorr。

6.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，其特征在于，对硅片的一面镀多层膜的具体步骤如下：

S1、对硅片的一面镀第一层膜；

S2、第一层膜沉积结束后，向反应炉管内通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

S3、在预设的时间阈值范围内停止通入氨气，进行第二层膜沉积；

S4、待步骤S3中第二层膜沉积结束后，向反应炉管内通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

S5、重复执行步骤S3和步骤S4。

7.根据权利要求6所述的晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，其特征在于，在步骤S5之后，对硅片的另一面镀多层膜的具体步骤如下：

S6、对硅片的另一面镀第一层膜；

S7、第一层膜沉积结束后，向反应炉管内通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

S8、在预设的时间阈值范围内停止通入氨气，进行第二层膜沉积；

S9、待步骤S8中第二层膜沉积结束后，向反应炉管内通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

S10、重复执行步骤S8和步骤S9；

S11、硅片出舟。

8.根据权利要求6所述的晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，其特征在于，在步骤S1之前还包括硅片进舟、硅片升温两个工序。

9.一种太阳能电池，其特征在于，包括由权利要求1-8中任意一项所述的晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法制备得到的硅片。