[发明专利]晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法及太阳能电池

说明书

本发明公开一种晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法及太阳能电池，处理方法为：先对硅片一面镀多层膜，每一层镀膜结束后进行氨气氛围的等离子体处理工序，等离子体处理工序如下：每一层膜沉积结束后，向反应炉管中通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，对硅片进行氢钝化；再对硅片另一面镀多层膜，每一层镀膜结束后进行氨气氛围的等离子体处理，等离子体处理工序如下：每一层膜沉积结束后，向反应炉管中通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以硅片进行氢钝化。本发明提供的多层膜沉积工序中，加入等离子体处理，氨气氛围的等离子体含有大量氢，对硅片表面起到很好的钝化效果，提高硅片少子寿命，从而提升电池光电转化效率。

技术领域

本发明涉及光伏电池领域，尤其涉及一种晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法及太阳能电池。

背景技术

在晶硅太阳能电池的制造过程中，通常在电池正面镀多层氮化硅(SiNx)膜或是氮化硅(SiNx)/氮氧化硅(SiOxNy)的多层膜，其作用是降低太阳光在电池正面的反射和对硅片表面进行钝化两个方面。同时，在电池背面镀氧化铝(AlOx)/氮化硅/氮氧化硅多层膜，作用是对硅片背表面进行钝化。随着晶硅太阳能电池转换效率越来越高，对膜的钝化效果要求也越来越高。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法及太阳能电池，所述技术方案如下：

本发明提供一种晶硅太阳能电池多层膜的等离子体处理方法，所述晶硅太阳能电池镀多层膜过程中，先对硅片的一面镀多层膜，在每一层镀膜结束后进行氨气氛围的等离子体处理工序，具体的等离子体处理工序如下：每一层膜沉积结束后，向反应炉管中通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

再对硅片的另一面镀多层膜，在每一层镀膜结束后进行氨气氛围的等离子体处理工序，具体的等离子体处理工序如下：每一层膜沉积结束后，向反应炉管中通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，对以硅片进行氢钝化。

进一步地，每一次等离子体处理工序的处理参数如下：通入氨气的流量大于1slm，等离子体处理时间大于1秒，温度控制在350-500℃。

进一步地，每一次等离子体处理工序中，等离子体处理时间范围为5-300s。

进一步地，每一次等离子体处理工序中，通入氨气的流量范围为3～10slm。

进一步地，每一次等离子体处理工序中，镀膜设备的射频功率范围为5000-9000w，反应炉管内的气压范围为1000-2000mTorr。

进一步地，对硅片的一面镀多层膜的具体步骤如下：

S1、对硅片的一面镀第一层膜；

S2、第一层膜沉积结束后，向反应炉管内通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

S3、在预设的时间阈值范围内停止通入氨气，进行第二层膜沉积；

S4、待步骤S3中第二层膜沉积结束后，向反应炉管内通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

S5、重复执行步骤S3和步骤S4。

进一步地，在步骤S5之后，对硅片的另一面镀多层膜的具体步骤如下：

S6、对硅片的另一面镀第一层膜；

S7、第一层膜沉积结束后，向反应炉管内通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；

S8、在预设的时间阈值范围内停止通入氨气，进行第二层膜沉积；

S9、待步骤S8中第二层膜沉积结束后，向反应炉管内通入预设流量的氨气，激发产生含氢的等离子体，以对硅片进行氢钝化；