[发明专利]一种通信芯片及其低噪声放大器和移动通信设备在审

专利信息
申请号: 202011518838.1 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112737522A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 雷华奎;董铸祥;郑金汪;钱永学;孟浩;蔡光杰;黄鑫 申请(专利权)人: 广州昂瑞微电子技术有限公司
主分类号: H03F1/34 分类号: H03F1/34;H03F1/42;H03F1/56;H03F1/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆宗力
地址: 510670 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 通信 芯片 及其 低噪声放大器 移动 设备
【权利要求书】:

1.一种低噪声放大器,其特征在于,所述低噪声放大器包括隔直电感、第一分压电阻、第二分压电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、上拉电阻、RC反馈支路、输入匹配电路和输出匹配电路,其中:

所述输入匹配电路的输入端用于接收待放大的输入信号、输出端与所述第二NMOS管的栅极电连接,所述第二NMOS管的源极直接接地;

所述上拉电感的一端用于接收驱动电压、另一端与所述第一NMOS管的漏极电连接,所述第一NMOS管的漏极与所述输出匹配电路的输入端连接、源极与所述第二NMOS管的漏极连接,所述输出匹配电路的输出端用于输出经过放大后的输出信号;

所述第一分压电阻的一端用于接收所述驱动电压、另一端分别与所述第一NMOS管的栅极、所述第二分压电阻的一端连接,所述第二分压电阻的另一端接地;

所述上拉电阻的一端用于接收偏置电压、另一端与所述第二NMOS管的栅极连接,所述RC反馈电路的一端与所述第一NMOS管的漏极连接、另一端与所述第二NMOS管的栅极连接。

2.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述输入匹配电路包括输入电感和输入电容,其中:

所述输入电容的一端用于作为所述输入匹配电路的输入端,且通过所述输入电感接地,所述输入电容的另一端用于作为所述输入匹配电路的输出端。

3.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述输出匹配电路包括第一输出电容、第二输出电容和输出电感,其中:

所述第一输出电容的一端用于作为所述输出匹配电路的输入端、另一端与所述第二输出电容的一端连接,且通过所述输出电感接地;

所述第二输出电容的另一端用于作为所述输出匹配电路的输出端。

4.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,所述RC反馈支路包括串联连接的反馈电容和反馈电阻。

5.如权利要求1所述的低噪声放大器,其特征在于,还包括并联接地电容,其中:

所述并联接地电容的一端与所述第一NMOS管的栅极连接、另一端接地。

6.如权利要求1~5任一项所述的低噪声放大器,其特征在于,还包括有源偏置电路,其中:

所述有源偏置电路用于向所述上拉电阻输出所述偏置电压。

7.如权利要求6所述的低噪声放大器,其特征在于,所述有源偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管,其中:

所述第一电阻的一端用于接收偏置驱动电压,且分别与所述第二电阻的一端、所述第三电阻的一端连接;

所述第一电阻的另一端与所述第三NMOS管的漏极连接,所述第二电阻的另一端分别与所述第三NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的栅极、所述第五NMOS管的漏极连接;

所述第三NMOS管的源极与所述第五NMOS管的栅极连接、且通过所述第四电阻接地,所述第五NMOS关的源极接地;

所述第四NMOS管的源极用于输出所述偏置电压、且通过所述第五电阻接地。

8.一种通信芯片,其特征在于,设置有如权利要求1~7任一项所述的低噪声放大器。

9.一种移动通信设备,其特征在于,设置有如权利要求8所述的通信芯片。

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