[发明专利]一种通信芯片及其低噪声放大器和移动通信设备

说明书

本申请公开了一种通信芯片及其低噪声放大电器和移动通信设备，该低噪声放大器包括上拉电感、下拉电感、第一分压电阻、第二分压电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、上拉电阻、RC反馈支路、输入匹配电路和输出匹配电路。其中输入匹配电路用于接收待放大的输入信号，输出匹配电路用于输出放大后的输出信号，两个NMOS管和其他元件构成基本的放大结构，其中RC反馈电路的一端与第一NMOS管的漏极连接、另一端与第二NMOS管的栅极连接，即并联在输入通道与输出通道之间，用于作为负反馈电路。由于RC负反馈的存在，这样一来去除了源极退化电感的使用，在拓宽带宽的同时提高了增益，更重要的是增加了电路的稳定性。

技术领域

本申请涉及移动通信技术领域，更具体地说，涉及一种通信芯片及其低噪声放大器和移动通信设备。

背景技术

目前，5G通信已经成为移动通信的主流，其在无人驾驶、物联网、蜂窝通信领域发挥着重要的作用。然而，在5G通信频段中的3.3～4.2GHz频段，由于其信道衰落和路径损耗随着频率的上升而不断增加，在接受侧需要实现更微弱的信号接收及放大。因此，低噪声放大器能否实现更高的增益、噪声系数和线性度等性能指标，直接影响着5G通信设备的普及和推广。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种通信芯片及其低噪声放大器和移动通信设备，用于提高信号放大增益和稳定性。

为了实现上述目的，现提出的方案如下：

一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括隔直电感、第一分压电阻、第二分压电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、上拉电阻、RC反馈支路、输入匹配电路和输出匹配电路，其中：

所述输入匹配电路的输入端用于接收待放大的输入信号、输出端与所述第二NMOS管的栅极电连接，所述第二NMOS管的源极直接接地；

所述上拉电感的一端用于接收驱动电压、另一端与所述第一NMOS管的漏极电连接，所述第一NMOS管的漏极与所述输出匹配电路的输入端连接、源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述输出匹配电路的输出端用于输出经过放大后的输出信号；

所述第一分压电阻的一端用于接收所述驱动电压、另一端分别与所述第一NMOS管的栅极、所述第二分压电阻的一端连接，所述第二分压电阻的另一端接地；

所述上拉电阻的一端用于接收偏置电压、另一端与所述第二NMOS管的栅极连接，所述RC反馈电路的一端与所述第一NMOS管的漏极连接、另一端与所述第二NMOS管的栅极连接。

可选的，所述输入匹配电路包括输入电感和输入电容，其中：

所述输入电容的一端用于作为所述输入匹配电路的输入端，且通过所述输入电感接地，所述输入电容的另一端用于作为所述输入匹配电路的输出端。

可选的，所述输出匹配电路包括第一输出电容、第二输出电容和输出电感，其中：

所述第一输出电容的一端用于作为所述输出匹配电路的输入端、另一端与所述第二输出电容的一端连接，且通过所述输出电感接地；

所述第二输出电容的另一端用于作为所述输出匹配电路的输出端。

可选的，所述RC反馈支路包括串联连接的反馈电容和反馈电阻。

可选的，还包括并联接地电容，其中：

所述并联接地电容的一端与所述第一NMOS管的栅极连接、另一端接地。

可选的，还包括有源偏置电路，其中：

所述有源偏置电路用于向所述上拉电阻输出所述偏置电压。

可选的，所述有源偏置电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管，其中：