[发明专利]一种量子点显示装置及其应用在审
申请号: | 202011518870.X | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN112510076A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 杨丽敏;张志宽;高丹鹏;徐冰;孙小卫 | 申请(专利权)人: | 深圳扑浪创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L27/15;H01L33/50;G02F1/13357 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道甘李*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 显示装置 及其 应用 | ||
1.一种量子点显示装置,其特征在于,所述量子点显示装置包括依次层叠设置的驱动电路、紫外光背光源与量子点沉积层;
所述驱动电路用于控制所述紫外光背光源的开闭及亮度调节;
所述量子点沉积层包括量子点沉积基板、均匀设置于量子点沉积基板上的至少2个显示组件以及设置于相邻2个显示组件之间的像素挡板;
所述紫外光背光源为所述显示组件提供激发紫外光;
所述显示组件由至少3个像素单元组成;
所述像素单元包括至少1个红光量子点沉积单元、至少1个绿光量子点沉积单元与至少1个蓝光量子点沉积单元。
2.根据权利要求1所述的量子点显示装置,其特征在于,所述紫外光背光源为均匀分布的至少2个正方形点光源;
优选地,所述正方形点光源的边长为1-50μm。
3.根据权利要求1或2所述的量子点显示装置,其特征在于,所述像素挡板由不透光材料制成;
优选地,所述不透光材料是将黑色颗粒分散于树脂类材料中形成的复合材料;
优选地,所述黑色颗粒包括无机非金属材料和/或金属氧化物材料;
优选地,所述黑色颗粒的粒径为5-100nm;
优选地,所述树脂类材料包括聚甲醛树脂、聚酰胺树脂或聚苯醚树脂中的任意一种或至少两种的组合。
4.根据权利要求1-3任一项所述的量子点显示装置,其特征在于,所述显示组件由3个像素单元组成;
优选地,所述3个像素单元分别是依次相邻排布的红光量子点沉积单元、绿光量子点沉积单元与蓝光量子点沉积单元。
5.根据权利要求1-4任一项所述的量子点显示装置,其特征在于,所述像素单元为像素条;
优选地,所述像素条的宽度为1-45μm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的量子点显示装置,其特征在于,所述红光量子点沉积单元包括层叠设置的ITO薄膜和红光量子点材料,所述ITO薄膜与所述量子点沉积基板相连;
优选地,所述绿光量子点沉积单元包括层叠设置的ITO薄膜和绿光量子点材料,所述ITO薄膜与所述量子点沉积基板相连;
优选地,所述蓝光量子点沉积单元包括层叠设置的ITO薄膜和蓝光量子点材料,所述ITO薄膜与所述量子点沉积基板相连。
7.根据权利要求6所述的量子点显示装置,其特征在于,所述红光量子点材料、绿光量子点材料与蓝光量子点材料均为AXMYEZ体系材料;
所述A元素为Ba、Ag、Na、Fe、In、Cd、Zn、Ga、Mg、Pb或Cs中的任意一种或至少两种的组合;
所述M元素为S、Cl、O、As、N、P、Se、Te、Ti、Zr或Pb中的任意一种或至少两种的组合;
所述E元素为S、As、Se、O、Cl、Br或I中的任意一种或至少两种的组合;
X为0.3-2.0;Y为0.5-3.0,Z为0-4.0。
8.根据权利要求1-7任一项所述的量子点显示装置,其特征在于,所述量子点沉积层为采用如下方法制备得到的量子点沉积层,所述方法包括:
(1)分别制备红光量子点电沉积溶液、绿光量子点电沉积溶液与蓝光量子点电沉积溶液;
(2)将量子点沉积基板依次浸入步骤(1)得到的红光量子点电沉积溶液、绿光量子点电沉积溶液与蓝光量子点电沉积溶液,每一步浸入过程中均伴随着电沉积反应。
9.根据权利要求8所述的量子点显示装置,其特征在于,步骤(1)所述红光量子点电沉积溶液中的红光量子点材料浓度为0.05-0.5mol/L;
优选地,步骤(1)所述绿光量子点电沉积溶液中的绿光量子点材料浓度为0.1-0.8mol/L;
优选地,步骤(1)所述蓝光量子点电沉积溶液中的蓝光量子点材料浓度为0.05-0.5mol/L。
10.一种如权利要求1-9任一项所述的量子点显示装置的应用,其特征在于,所述应用包括将所述量子点显示装置用于OLED显示、LCD显示、Micro-LED显示或Mini-LED显示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的