[发明专利]一种量子点显示装置及其应用在审
申请号: | 202011518870.X | 申请日: | 2020-12-21 |
公开(公告)号: | CN112510076A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 杨丽敏;张志宽;高丹鹏;徐冰;孙小卫 | 申请(专利权)人: | 深圳扑浪创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L27/15;H01L33/50;G02F1/13357 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道甘李*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 显示装置 及其 应用 | ||
本发明提供一种量子点显示装置及其应用,所述量子点显示装置包括依次层叠设置的驱动电路、紫外光背光源与量子点沉积层;所述驱动电路用于控制所述紫外光背光源的开闭及亮度调节;所述量子点沉积层包括量子点沉积基板、均匀设置于量子点沉积基板上的至少2个显示组件以及设置于相邻2个显示组件之间的像素挡板;所述紫外光背光源为所述显示组件提供激发紫外光;所述显示组件由至少3个像素单元组成;所述像素单元包括至少1个红光量子点沉积单元、至少1个绿光量子点沉积单元与至少1个蓝光量子点沉积单元。本发明提供的量子点显示装置可实现像素级量子点排布,且制备工艺简单,产品合格率高,制造成本低,产品可靠性好。
技术领域
本发明属于显示技术领域,涉及一种显示装置,尤其涉及一种量子点显示装置及其应用。
背景技术
量子点(Quantum Dot,QD)材料的粒径一般介于1-10nm之间,由于电子和空穴被量子限域,连续的能带结构变成分立能级结构,因此发光光谱非常窄(20-30nm),色纯度高,显示色域广,可大幅超过NTSC的色域范围(100%);同时通过彩色滤光片光吸收损耗小,可实现低功耗显示。作为新一代的发光材料,量子点由于其特殊的性能,在LED显示应用中正逐渐崭露头角。量子点材料通过吸收部分波段的蓝光,激发出部分波段的绿光及红光,能够有效提高显示屏幕的色域,满足高品质显示应用的需求。
量子点彩膜是显示器件实现超高色域全彩显示的关键部件,现有技术是将量子点分散在光刻胶中,再通过光固化和蚀刻等方式,在基材特定区域上实现量子点光转换材料涂布。但该方案工艺过程复杂,生产成本高,对设备能力和精度要求很高,且难以实现像素级量子点排布。
CN 109988573A公开了一种复合量子点、量子点固态膜及其应用,所述复合量子点具有电负性特征,可以采用电沉积的方法沉积制备量子点固态膜,能够有效提高显示器件的发光强度和稳定性。然而所述量子点固态膜并非像素级彩膜,从而限制了显示器件成像品质的进一步提升。
CN 105388660A公开了一种COA型阵列基板的制备方法,所述制备方法可实现量子点的零浪费,且与现有的彩色滤光膜的制备方法相比,无需使用高温工序,有效提高了量子点利用率,同时能够节省两到三次光刻工艺,从而降低成本、保护环境;且得到的量子点彩膜通过化学键与电极层连接,具有较高的连接强度,避免了光刻胶与基板连接强度不够导致剥落等不良现象的产生。
CN 104576961A公开了一种基于量子点的OLED白光器件及其制作方法,所述白光器件由基板、蓝光OLED器件、量子点层以及薄膜封装层构成,蓝光OLED器件发射的蓝光激发量子点层中的量子点,从量子点层中出射的光是蓝光OLED发射的光与量子点发射的光合成的白光。由于所述制作方法是采用旋涂法形成量子点薄膜,且需要保证所述量子点薄膜的厚度为2-3层单量子点的厚度,对设备能力和精度要求比较高,从而导致生产成本昂贵。
CN 207250571U公开了一种量子点OLED显示器,所述显示器通过在ITO玻璃出光面设置量子点层,利用量子点光致发光的特性,将有机发光层发出的红光转换为蓝光,将有机发光层发出的蓝光转换为红光或绿光,实现OLED的转色,蓝光OLED的寿命和红光OLED的效率都得到提高,同时,量子点层发出的光,其光谱更窄,使各种单色OLED的色彩更加饱和,产品性能明显提高,具有极强的竞争优势。由于所述量子点层是采用量子点油墨通过喷墨打印的方式制作形成,且需要保证量子点层的厚度为30-100nm,同样存在对设备能力和精度要求高的缺陷,从而限制了产品的大规模生产。
由此可见,如何简化量子点彩膜生产工艺并降低其生产成本,同时实现像素级量子点排布,从而提升显示装置的成像品质,成为目前迫切需要解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种量子点显示装置及其应用,所述量子点显示装置实现了像素级量子点排布,提高了成像品质,并且简化了量子点彩膜的生产工艺,降低了生产成本。
为达到此发明目的,本发明采用以下技术方案:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的